Proximity effect in ferromagnetic structures InGaAs/GaAs/CoPt
- 作者: Zaitsev S.1
-
隶属关系:
- Institute of Solid State Physics of the Russian Academy of Sciences
- 期: 卷 87, 编号 2 (2023)
- 页面: 213-217
- 栏目: Articles
- URL: https://journals.rcsi.science/0367-6765/article/view/135275
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676522700399
- EDN: https://elibrary.ru/AESWOU
- ID: 135275
如何引用文章
详细
Ferromagnetic influence of a thin (~8 nm) surface CoPt layer on the circular polarization of the InGaAs/GaAs quantum well photoluminescence is observed in structure GaAs/InGaAs/GaAs/Al2O3 (1 нм)/CoPt with narrow GaAs spacer dS = 5 nm, while electroluminescence is polarized in the whole range of dS = 5–100 nm. It is suggested that the short-range proximity effect is determined by overlap of electrons wave functions with the nearby ferromagnetic CoPt film.
作者简介
S. Zaitsev
Institute of Solid State Physics of the Russian Academy of Sciences
编辑信件的主要联系方式.
Email: szaitsev@issp.ac.ru
Russia, 142432, Chernogolovka
参考
- Dietl T., Ohno H. // Rev. Mod. Phys. 2014. V. 86. P. 187.
- Nazmul A.M., Amemiya T., Shuto Y. et al. // Phys. Rev. Lett. 2005. V. 95. Art. No. 017201.
- Захарченя Б.П., Коренев В.Л. // УФН. 2005. Т. 175. С. 629; Zakharchenya B.P., Korenev V.L. // Phys. Usp. 2005. V. 48. P. 603.
- Myers R.C., Gossard A.C., Awschalom D.D. // Phys. Rev. B. 2004. V. 69. Art. No. 161305(R).
- Зайцев С.В., Дорохин М.В., Бричкин А.С. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2009. Т. 90. С. 730; Zaitsev S.V., Dorokhin M.V., Brichkin A.S. et al. // JETP Lett. 2010. V. 90. P. 658.
- Korenev V.L., Salewski M., Akimov I.A. et al. // Nature Phys. 2016. V. 12. No. 1. P. 85.
- Akimov I.A., Salewski M., Kalitukha I.V. et al. // Phys. Rev. B. 2017. V. 96. Art. No. 184412.
- Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б. и др. // ФТП. 2015. Т. 49. № 12. С. 1649; Zdoroveyshchev A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B. et al. // Semiconductors. 2015. V. 49. No. 12. P. 1601.
- Дорохин М.В., Ведь М.В., Демина П.Б. и др. // ФТТ. 2017. Т. 59. № 11. С. 2135; Dorokhin M.V., Ved’ M.V., Demina P.B. et al. // Phys. Sol. State. 2017. V. 59. No. 11. P. 2155.
- Дорохин М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В. и др. // ЖТФ. 2022. Т. 92. № 5. С. 724; Dorokhin M.V., Demina P.B., Zdoroveyshchev A.V. et al. // Tech. Phys. 2022. V. 92. No. 5. P. 613.
- Kalitukha I.V., Ken O.S., Korenev V.L. et al. // Nano Lett. 2021. V. 21. No. 6. P. 2370.
- Зайцев С.В. // ФНТ. 2012. Т. 38. № 5. С. 513; Zaitsev S.V. // Low Temp. Phys. 2012. V. 38. No. 5. P. 399.