Proximity effect in ferromagnetic structures InGaAs/GaAs/CoPt

S. V. Zaitsev; Зайцев С. В.

doi:10.31857/S0367676522700399

Proximity effect in ferromagnetic structures InGaAs/GaAs/CoPt

Авторлар: Zaitsev S.¹
Мекемелер:
1. Institute of Solid State Physics of the Russian Academy of Sciences
Шығарылым: Том 87, № 2 (2023)
Беттер: 213-217
Бөлім: Articles
URL: https://journals.rcsi.science/0367-6765/article/view/135275
DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676522700399
EDN: https://elibrary.ru/AESWOU
ID: 135275

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

Ferromagnetic influence of a thin (~8 nm) surface CoPt layer on the circular polarization of the InGaAs/GaAs quantum well photoluminescence is observed in structure GaAs/InGaAs/GaAs/Al₂O₃(1 нм)/CoPt with narrow GaAs spacer d_S = 5 nm, while electroluminescence is polarized in the whole range of d_S = 5–100 nm. It is suggested that the short-range proximity effect is determined by overlap of electrons wave functions with the nearby ferromagnetic CoPt film.

Авторлар туралы

S. Zaitsev

Institute of Solid State Physics of the Russian Academy of Sciences

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: szaitsev@issp.ac.ru
Russia, 142432, Chernogolovka

Әдебиет тізімі

Dietl T., Ohno H. // Rev. Mod. Phys. 2014. V. 86. P. 187.
Nazmul A.M., Amemiya T., Shuto Y. et al. // Phys. Rev. Lett. 2005. V. 95. Art. No. 017201.
Захарченя Б.П., Коренев В.Л. // УФН. 2005. Т. 175. С. 629; Zakharchenya B.P., Korenev V.L. // Phys. Usp. 2005. V. 48. P. 603.
Myers R.C., Gossard A.C., Awschalom D.D. // Phys. Rev. B. 2004. V. 69. Art. No. 161305(R).
Зайцев С.В., Дорохин М.В., Бричкин А.С. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2009. Т. 90. С. 730; Zaitsev S.V., Dorokhin M.V., Brichkin A.S. et al. // JETP Lett. 2010. V. 90. P. 658.
Korenev V.L., Salewski M., Akimov I.A. et al. // Nature Phys. 2016. V. 12. No. 1. P. 85.
Akimov I.A., Salewski M., Kalitukha I.V. et al. // Phys. Rev. B. 2017. V. 96. Art. No. 184412.
Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б. и др. // ФТП. 2015. Т. 49. № 12. С. 1649; Zdoroveyshchev A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B. et al. // Semiconductors. 2015. V. 49. No. 12. P. 1601.
Дорохин М.В., Ведь М.В., Демина П.Б. и др. // ФТТ. 2017. Т. 59. № 11. С. 2135; Dorokhin M.V., Ved’ M.V., Demina P.B. et al. // Phys. Sol. State. 2017. V. 59. No. 11. P. 2155.
Дорохин М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В. и др. // ЖТФ. 2022. Т. 92. № 5. С. 724; Dorokhin M.V., Demina P.B., Zdoroveyshchev A.V. et al. // Tech. Phys. 2022. V. 92. No. 5. P. 613.
Kalitukha I.V., Ken O.S., Korenev V.L. et al. // Nano Lett. 2021. V. 21. No. 6. P. 2370.
Зайцев С.В. // ФНТ. 2012. Т. 38. № 5. С. 513; Zaitsev S.V. // Low Temp. Phys. 2012. V. 38. No. 5. P. 399.