Отправить статью по E-mail Рост и электротранспортные характеристики эпитаксиальных тонких пленок иридата стронция
- Авторы: Москаль И.Е.1,2, Нагорных К.Е.3, Петржик А.М.1, Кислинский Ю.В.1, Константинян К.И.1, Шадрин А.В.1,3, Овсянников Г.А.1
-
Учреждения:
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова”
- Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “МИРЭА – Российский технологический университет”
- Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)”
- Выпуск: Том 87, № 3 (2023)
- Страницы: 429-433
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.rcsi.science/0367-6765/article/view/135310
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676522700752
- EDN: https://elibrary.ru/HHPYNQ
- ID: 135310
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
Представлены результаты исследования эпитаксиальных тонких пленок иридата стронция составов Sr2IrO4 и SrIrO3, полученных соответственно методами лазерной абляции и катодного распыления на постоянном токе. Приводятся данные по технологии роста, кристаллической структуре, электрофизическим параметрам, рассчитана энергия активации для диэлектрических малодефектных пленок Sr2IrO4.
Об авторах
И. Е. Москаль
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова”; Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
“МИРЭА – Российский технологический университет”
Автор, ответственный за переписку.
Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва; Россия, Москва
К. Е. Нагорных
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования“Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)”
Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Долгопрудный
А. М. Петржик
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова”
Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва
Ю. В. Кислинский
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова”
Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва
К. И. Константинян
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова”
Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва
А. В. Шадрин
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова”; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
“Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)”
Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва; Россия, Долгопрудный
Г. А. Овсянников
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова”
Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва
Список литературы
- Kazunori Nishio, Harold Y. Hwang // APL Mater. 2016. V. 4. Art. No. 036102.
- Gutierrez-Llorente A., Iglesias L., Rodr’ıguez-González B., Rivadulla F. // APL Mater. 2018. V. 6. Art. No. 091101.
- Petrzhik A.M., Constantinian K.Y., Ovsyannikov G.A. et al. // Phys. Rev. B. 2019. V. 100. Art. No. 024501.
- Petrzhik A.M., Constantinian K.Y., Ovsyannikov G.A. et al. // J. Surf. Invest. X-Ray Synchrotron Neutron Techn. 2020. V. 14. No. 3. P. 547.
- Bobkova I.V., Bobkov A.M. // Phys. Rev. 2017. V. 95. P. 184 512.
- Kislinskii Yu.V., Constantinian K.Y., Ovsyannikov G.A. et al. // Proc. V Int. Conf. FPS’15. (Moscow, 2015). P. 144.
- Yang J., Hao L., Nanney P. et al. // Appl. Phys. Lett. 2019. V. 114. Art. No. 182401.
- Li Z.Z., Schneegans O., Fruchter L. // arXiv: 1610.03722v1. 2016.
- Петржик А.М., Cristiani G., Логвенов Г. и др. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. № 12. С. 25; Petrzhik A.M., Cristiani G., Logvenov G. et al. // Tech. Phys. Lett. 2017. V. 43. No. 6. P. 554.
- Nittaya Keawprak, Rong Tu, Takashi Goto // J. Alloys Compounds. 2010. V. 491. P. 441.
- Zhang L., Liang Q., Xiong Y. et al. // Phys. Rev. B. 2015. V. 91. P. 035110.
- Bebenin N.G., Zainullina R.I., Chusheva N.S. et al. // Phys. Rev. B. 2004. V. 69. P. 104434.
- Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука. Физматлит, 1979. 416 с.
Дополнительные файлы
