Fermi level pinning on the (110) oxidized surface of AIII-Sb semiconductors

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Pinning of the Fermi level on the oxidized (110) surface of AIII-Sb semiconductors (GaSb, Ga0.78In0.22As0.18Sb0.82, Ga0.66Al0.34As0.025Sb0.975) was studied. It is shown that the Fermi level is pinned at 4.65 ± 0.1 eV from the vacuum level. The presence of Sb was shown for the photooxidized Ga0.78In0.22As0.18Sb0.82 and Ga0.66Al0.34As0.025Sb0.975 surfaces. The formation of Sb on the surface because of faster oxidation of group III elements results in pinning of the Fermi level at the same distance from the vacuum level in III-Sb compounds.

Авторлар туралы

P. Alekseev

Ioffe Physical-Technical Institute of the Russian Academy of Sciences

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: prokhor@mail.ioffe.ru
Russia, 194021, Saint-Petersburg

A. Smirnov

Ioffe Physical-Technical Institute of the Russian Academy of Sciences

Email: prokhor@mail.ioffe.ru
Russia, 194021, Saint-Petersburg

V. Sharov

Ioffe Physical-Technical Institute of the Russian Academy of Sciences

Email: prokhor@mail.ioffe.ru
Russia, 194021, Saint-Petersburg

B. Borodin

Ioffe Physical-Technical Institute of the Russian Academy of Sciences

Email: prokhor@mail.ioffe.ru
Russia, 194021, Saint-Petersburg

E. Kunitsyna

Ioffe Physical-Technical Institute of the Russian Academy of Sciences

Email: prokhor@mail.ioffe.ru
Russia, 194021, Saint-Petersburg

Әдебиет тізімі

  1. Alekseev P.A., Dunaevskiy M.S., Cirlin G.E. et al. // Nanotechnology. 2018. V. 29. Art. No. 314003.
  2. Woodall J., Freeouf J. // J. Vacuum. Sci. Technol. 1981. V. 19. P. 794.
  3. Baier H.-U., Koenders L., Mönch W. // Solid State Comm. 1986. V. 58. P. 327.
  4. Spicer W. E., Lindau I., Skeath P. et al. // Phys. Rev. Lett. 1980. V. 44. P. 420.
  5. Marozas B., Hughes W., Du X. et al. // Opt. Mater. Express. 2018. V. 8. P. 1419.
  6. Andreev I., Il’inskaya N., Kunitsyna E. et al. // Semiconductors. 2013. V. 37. P. 949.
  7. Dunaevskiy M., Alekseev P., Girard P. et al. // J. Appl. Phys. 2012. V. 112. Art. No. 064112.
  8. Alekseev P., Dunaevskiy M., Kirilenko D. et al. // J. Appl. Phys. 2017. V. 121. Art. No. 074302.
  9. Su Y., Gan K., Hwang J., Tyan S. // J. Appl. Phys. 1990. V. 68. P. 5584.
  10. Haines M., Kerr T., Newstead S., Kirby P. // J. Appl. Phys. 1989. V. 65. P. 1942.
  11. Schwartz G., Gualtieri G., Griffiths J. et al. // J. Electrochem. Soc. 1980. V. 127. P. 2488.
  12. Michaelson H.B. // J. Appl. Phys. 1977. V. 48. P. 4729.
  13. Hasegawa H., Hideo O. // J. Vacuum. Sci. Technol. B. 1986. V. 4. P. 1130.
  14. Freeouf J., Woodall J. // Appl. Phys. Lett. 1981. V. 39. P. 727.
  15. Sharov V., Alekseev P., Fedorov V. et al. // Appl. Surf. Sci. 2021. V. 563. Art. No. 150018.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
2.

Жүктеу (63KB)
3.

Жүктеу (136KB)

© П.А. Алексеев, А.Н. Смирнов, В.А. Шаров, Б.Р. Бородин, Е.В. Куницына, 2023

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>