Расчет параметров лавины электронов в неоне в сильных электрических полях

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Методом Монте-Карло рассчитаны зависимости кинетических и транспортных коэффициентов электронов в неоне в диапазоне значений приведенной напряженности поля E/N от 15 до 1500 Тд. Рассчитанные зависимости сравниваются с результатами, полученными решением кинетического уравнения в приближении Лоренца. Показано, что данное приближение нарушается в сильных электрических полях, что приводит к заметным отличиям в значениях транспортных коэффициентов, рассчитанных с использованием обеих методов. С целью верификации расчетов выполнено сравнение с имеющимися в литературе данными измерений. Также показано, что диффузионно-дрейфовое приближение плохо описывает пространственно-временную эволюцию концентрации электронов в неоне в полях больших ≈500 Тд.

Об авторах

Е. И. Бочков

Российский федеральный ядерный центр – ВНИИЭФ

Автор, ответственный за переписку.
Email: e_i_bochkov@mail.ru
Россия, Нижегородская область, Саров

Список литературы

  1. Голант В.Е., Жилинский А.П., Сахаров И.Е. Основы физики плазмы. М.: Атомиздат, 1977.
  2. Sakai Y., Tagashira H., Sakamoto S. // J. Phys. D.: A-ppl. Phys. 1997. V. 10. P. 1035.
  3. Бочков Е.И., Бабич Л.П. // Физика плазмы. 2022. Т. 48. № 3. С. 276.
  4. Alves L.L., Bartschat K., Biagi S.F., Bordage M.C., Pitchford L.C., Ferreira C.M., Hagelaar G.J.M., Mor-gan W.L., Pancheshnyi S., Phelps A.V., Puech V., Zatsa-rinny O. // J. Phys. D.: Appl. Phys. 2013. V. 46. 334002 (22 pp).
  5. Hagelaar G.J.M., Pitchford L.C. // Plasma Sources Sci. Technol. 2005. V. 14. P. 722.
  6. Allis W.P. // Physical Review A. 1982. V. 26 (3). P. 1704.
  7. Бочков Е.И., Бабич Л.П., Куцык И.М. // Физика плазмы. 2021. Т. 47. № 10. С. 935.
  8. Adibzadeh M., Theodosiou C.E. // Atomic Data and Nuclear Data Tables. 2005. V. 91. P. 8.
  9. Salvat F., Jablonski A., Powell C.J. // Computer Phys. Communications. 2005. V. 165. P. 157.
  10. Wetzel R.C., Baiocchi F.A., Hayes T.R., Freund R.S. // Phys. Rev. A. 1987. V. 35(2). P. 559.
  11. De Heer F.J., Jansen R.H., van der Kaay W. // J. Phys. B: Molec. Phys. 1979. V. 12(6). P. 979.
  12. Schram B.L., de Heer F.J., van der Wiel M.J., Kistema-ker J. // Physica. 1965. V. 31. P. 94.
  13. www.lxcat.net/Biagi-v7.1
  14. Raju G.G. Gaseous Electronics. Tables, Atoms, and Molecules. N.Y.: CRC Press, 2012.
  15. Kim Y.-K., Rudd M.E. // Phys. Rev. A. 1994. V. 505. P. 3954.
  16. Yates B.R., Keane K., Khakoo M.A. // J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys. 2009. V. 42. 095206.
  17. Tahira S., Oda N. // J. Phys. Soc. Japan. 1973. V. 35(2). P. 582.
  18. Petrovic Z.L., Dujko S., Maric D., Malovic G., Nikito-vic Z., Sasic O., Jovanovic J., Stojanovic V., Radmilovic-Radenovic M. // J. Phys. D.: Appl. Phys. 2009. V. 42. 194002.
  19. Kucukarpaci H.N., Saelee H.T., Lucas J. // J. Phys. D.: Appl. Phys. 1981. V. 14. P. 9.
  20. Al-Amin S.A.J., Lucas J. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1987. V. 20. P. 1590.
  21. Chanin M.L., Rork G.D. // Phys. Rev. 1963. V. 132(6). P. 2547.
  22. Kruithof A.A., Penning F.M. // Physica. 1937. V. 32. P. 430.
  23. Willis B.A., Morgan C.G. // Brit. J. Appl. Phys. 1968. V. 1. P. 1219.
  24. Dutton J., Hughes M.H., Tan B. // J. Phys. B. 1969. V. 2. P. 890.

Дополнительные файлы


© Е.И. Бочков, 2023

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах