RAZLIChNYE REZhIMY ELEKTRONNOGO TRANSPORTA V DOPIROVANNYKh NANOPROVOLOKAKh InAs
- Autores: Zhukov A.1, Batov I.1
-
Afiliações:
- Edição: Volume 165, Nº 3 (2024)
- Páginas: 424-437
- Seção: Articles
- URL: https://journals.rcsi.science/0044-4510/article/view/256501
- DOI: https://doi.org/10.31857/S004445102403012X
- ID: 256501
Citar
Resumo
Представлены результаты измерения магнитотранспорта в допированных кремнием нанопроволоках InAs в присутствии проводящего острия атомно-силового микроскопа, так называемая техника scanning gate microscopy (SGM). Увеличивая концентрацию носителей в нанопроволоке путем прикладывания положительного напряжения на нижний затвор, удалось последовательно провести транспорт в нанопроволоке через четыре различных режима, а именно, остаточный режим кулоновской блокады, резонансный нелинейный и линейный режимы и, наконец, режим практичски однородного диффузного транспорта. Продемонстрирована связь между особенностями результатов сканирования техникой SGM и спектром универсальных флуктуаций проводимости (R−1B)). Кроме того, показано фрактальное поведение кривой R−1(B) в нелинейном и линейном режимах резонансного транспорта.
Bibliografia
- S. Datta, Electronic Transport in Mesoscopic Systems, Cambridge Univ. Press, Cambridge (1995).
- B. L. Altshuler and A. G. Aronov, in Electron-Electron Interactions in Disordered Conductors, ed. by A. J. Efros and M. Pollack, Elsevier Sci., North-Holland (1985).
- А. А. Жуков, К. Фольк, Т. Шеперс, ЖЭТФ 161, 116 (2022) [A. A. Zhukov, Ch. Volk, and Th. Sch¨apers, JETP 134, 95 (2022)].
- Y. Imry, Introduction to Mesoscopic Physics, Oxford Univ. Press, Oxford (1997).
- B. L. Altshuler, Pisma v Zh. Eksp. Teor. Fiz. 41 , 530 (1985) [JETP Lett. 41, 648 (1985)].
- P. A. Lee, A. D. Stone, and H. Fukuyama, Phys. Rev. B 35, 1039 (1987).
- C. W. J. Beenakker and H. van Houten, Phys. Rev. B 37, 6544 (1988).
- R. Ketzmerick, Phys. Rev. B 54, 10841 (1996).
- B. B. Mandelbrot, The Fractal Geometry of Nature, Freeman, San Francisco (1982).
- M. Jannsen, Int. J. Mod. Phys. B 08, 943 (1994).
- F. Evers and A. D. Mirlin, Rev. Mod. Phys. 80, 1355 (2008).
- A. H. Hegger, B. Huckestein, K. Hecker, M. Janssen, A. Freimuth, G. Reckziegel, and R. Tuzinski, Phys. Rev. Lett. 77, 3885 (1996).
- C. A. Marlow, R. P. Taylor, T. P. Martin, B. C. Scannell, H. Linke, M. S. Fairbanks, G. D. R. Hall, I. Shorubalko, L. Samuelson, T. M. Fromhold, C. V. Brown, B. Hackens, S. Faniel, C. Gustin, V. Bayot, X. Wallart, S. Bollaert, and A. Cappy, Phys. Rev. B 73, 195318 (2006).
- K. R. Amin, S. S. Ray, N. Pal et al., Commun. Phys. 1, 1 (2018); https://doi.org/10.1038/s42005-017-0001-4.
- S. Wirths, K. Weis, A. Winden, K. Sladek, Ch. Volk, S. Alagha, T. E. Weirich, M. von der Ahe, H. Hardtdegen, H. Lu¨th, N. Demarina, D. Gru¨tzmacher, and Th. Sch¨apers, J. Appl. Phys. 110, 053709 (2011).
- M. Akabori, K. Sladek, H. Hardtdegen, Th. Sch¨apers, and D. Gru¨tzmacher, J. Cryst. Growth 311, 3813 (2009).
- A. A. Zhukov, Instrum. Exp. Tech. 51, 130 (2008).
- K. Weis, St. Wirths, A. Winden, K. Sladek, H. Hardtdegen, H. Lu¨th, D. Gru¨tzmacher, and Th. Sch¨apers, Nanotechnology 25, 135203 (2014).
- O. Wunnicke, Appl. Phys. Lett. 89, 083102 (2006).
- V. F. Gantmakher, Electrons and Disorder in Solids, Oxford Univ. Press, Oxford (2005).
- M. T. Woodside and P. L. McEuen, Science 296, 1098 (2002).
- A. A. Zhukov, Ch. Volk, A. Winden, H. Hardtdegen, and Th. Sch¨apers, J. Phys. Condens. Matter 26, 165304 (2014).
- A. C. Bleszynski, F. A. Zwanenburg, R. M. Westervelt, A. L. Roest, E. P. A. M. Bakkers, and L. P. Kouwenhoven, Nano Lett. 7, 2559 (2005).
- S. Dhara, H. S. Solanki, V. Singh, A. Narayanan, P. Chaudhari, M. Gokhale, A. Bhattacharya, and M. M. Deshmukh, Phys. Rev. B 79, 121311(R) (2009).
- P. Roulleau, T. Choi, S. Riedi, T. Heinzel, I. Shorubalko, T. Ihn, and K. Ensslin, Phys. Rev. B 81, 155449 (2010).
- Ch. Bl¨omers, M. I. Lepsa, M. Luysberg, D. Gru¨tzmacher, H. Lu¨th, and Th. Sch¨apers, Nano Lett. 11, 3550 (2011).
- E. E. Boyd, K. Storm, L. Samuelson, and R. M. Westervelt, Nanotechnology 22, 185201 (2011).
- L. B. Wang, J. K. Guo, N. Kang, D. Pan, S. Li, D. Fan, J. Zhao, and H. Q. Xu, Appl. Phys. Lett. 106, 173105 (2015).
- K. Takase, Y. Ashikawa, G. Zhang, K. Tateno, and S. Sasaki, Sci. Rep. 7, 930 (2017).
- D. Liang, J. Du, and X. P. A. Gao, Phys. Rev. B 81, 153304 (2010).
- A. Makarovski, J. Liu, and G. Finkelstein, Phys. Rev. Lett. 99, 066801 (2007).
- L. B. Wang, D. Pan, G. Y. Huang, J. Zhao, N. Kang, and H. Q. Xu, Nanotechnology 30, 124001 (2019).
- H. Lu¨th, Ch. Bl¨omers, Th. Richter, J. Wensorra, S. Est´evez Hern´andez, G. Petersen, M. Lepsa, Th. Sch¨apers, M. Marso, M. Indlekofer, R. Calarco, R. Demarina, and D. Gru¨tzmacher, Phys. Stat. Sol. C 7, 386 (2010).
- H. Haucke et al., Phys. Rev. B 41, 12454 (1990).
- A. A. Zhukov et al., JETP 115, 1062 (2012).
- A. A. Zhukov et al., JETP 116, 138 (2013).
- A. A. Zhukov, Ch. Volk, A. Winden, H. Hardtdegen, and Th. Sch¨apers, J. Phys. Cond. Matt. 26, 165304 (2014).
- B. L. Altshuler, Y. Gefen, A. Kamenev, and L. S. Levitov, Phys. Rev. Lett. 78, 2803 (1997).
- A. D. Mirlin and Y. V. Fyodorov, Phys. Rev. B 56, 13393 (1997).
- B. L. Altshuler, V. E. Kravtsov, and I. V. Lerner, JETP Lett. 45, 199 (1987).
- B. A. Muzykantskii and D. E. Khmelnitskii, Phys. Rev. B 51, 5480 (1995).
- A. D. Mirlin, JETP Lett. 62, 603 (1995).