RAZLIChNYE REZhIMY ELEKTRONNOGO TRANSPORTA V DOPIROVANNYKh NANOPROVOLOKAKh InAs

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

Представлены результаты измерения магнитотранспорта в допированных кремнием нанопроволоках InAs в присутствии проводящего острия атомно-силового микроскопа, так называемая техника scanning gate microscopy (SGM). Увеличивая концентрацию носителей в нанопроволоке путем прикладывания положительного напряжения на нижний затвор, удалось последовательно провести транспорт в нанопроволоке через четыре различных режима, а именно, остаточный режим кулоновской блокады, резонансный нелинейный и линейный режимы и, наконец, режим практичски однородного диффузного транспорта. Продемонстрирована связь между особенностями результатов сканирования техникой SGM и спектром универсальных флуктуаций проводимости (R−1B)). Кроме того, показано фрактальное поведение кривой R−1(B) в нелинейном и линейном режимах резонансного транспорта.

Sobre autores

A. Zhukov

Email: azhukov@issp.ac.ru

I. Batov

Bibliografia

  1. S. Datta, Electronic Transport in Mesoscopic Systems, Cambridge Univ. Press, Cambridge (1995).
  2. B. L. Altshuler and A. G. Aronov, in Electron-Electron Interactions in Disordered Conductors, ed. by A. J. Efros and M. Pollack, Elsevier Sci., North-Holland (1985).
  3. А. А. Жуков, К. Фольк, Т. Шеперс, ЖЭТФ 161, 116 (2022) [A. A. Zhukov, Ch. Volk, and Th. Sch¨apers, JETP 134, 95 (2022)].
  4. Y. Imry, Introduction to Mesoscopic Physics, Oxford Univ. Press, Oxford (1997).
  5. B. L. Altshuler, Pisma v Zh. Eksp. Teor. Fiz. 41 , 530 (1985) [JETP Lett. 41, 648 (1985)].
  6. P. A. Lee, A. D. Stone, and H. Fukuyama, Phys. Rev. B 35, 1039 (1987).
  7. C. W. J. Beenakker and H. van Houten, Phys. Rev. B 37, 6544 (1988).
  8. R. Ketzmerick, Phys. Rev. B 54, 10841 (1996).
  9. B. B. Mandelbrot, The Fractal Geometry of Nature, Freeman, San Francisco (1982).
  10. M. Jannsen, Int. J. Mod. Phys. B 08, 943 (1994).
  11. F. Evers and A. D. Mirlin, Rev. Mod. Phys. 80, 1355 (2008).
  12. A. H. Hegger, B. Huckestein, K. Hecker, M. Janssen, A. Freimuth, G. Reckziegel, and R. Tuzinski, Phys. Rev. Lett. 77, 3885 (1996).
  13. C. A. Marlow, R. P. Taylor, T. P. Martin, B. C. Scannell, H. Linke, M. S. Fairbanks, G. D. R. Hall, I. Shorubalko, L. Samuelson, T. M. Fromhold, C. V. Brown, B. Hackens, S. Faniel, C. Gustin, V. Bayot, X. Wallart, S. Bollaert, and A. Cappy, Phys. Rev. B 73, 195318 (2006).
  14. K. R. Amin, S. S. Ray, N. Pal et al., Commun. Phys. 1, 1 (2018); https://doi.org/10.1038/s42005-017-0001-4.
  15. S. Wirths, K. Weis, A. Winden, K. Sladek, Ch. Volk, S. Alagha, T. E. Weirich, M. von der Ahe, H. Hardtdegen, H. Lu¨th, N. Demarina, D. Gru¨tzmacher, and Th. Sch¨apers, J. Appl. Phys. 110, 053709 (2011).
  16. M. Akabori, K. Sladek, H. Hardtdegen, Th. Sch¨apers, and D. Gru¨tzmacher, J. Cryst. Growth 311, 3813 (2009).
  17. A. A. Zhukov, Instrum. Exp. Tech. 51, 130 (2008).
  18. K. Weis, St. Wirths, A. Winden, K. Sladek, H. Hardtdegen, H. Lu¨th, D. Gru¨tzmacher, and Th. Sch¨apers, Nanotechnology 25, 135203 (2014).
  19. O. Wunnicke, Appl. Phys. Lett. 89, 083102 (2006).
  20. V. F. Gantmakher, Electrons and Disorder in Solids, Oxford Univ. Press, Oxford (2005).
  21. M. T. Woodside and P. L. McEuen, Science 296, 1098 (2002).
  22. A. A. Zhukov, Ch. Volk, A. Winden, H. Hardtdegen, and Th. Sch¨apers, J. Phys. Condens. Matter 26, 165304 (2014).
  23. A. C. Bleszynski, F. A. Zwanenburg, R. M. Westervelt, A. L. Roest, E. P. A. M. Bakkers, and L. P. Kouwenhoven, Nano Lett. 7, 2559 (2005).
  24. S. Dhara, H. S. Solanki, V. Singh, A. Narayanan, P. Chaudhari, M. Gokhale, A. Bhattacharya, and M. M. Deshmukh, Phys. Rev. B 79, 121311(R) (2009).
  25. P. Roulleau, T. Choi, S. Riedi, T. Heinzel, I. Shorubalko, T. Ihn, and K. Ensslin, Phys. Rev. B 81, 155449 (2010).
  26. Ch. Bl¨omers, M. I. Lepsa, M. Luysberg, D. Gru¨tzmacher, H. Lu¨th, and Th. Sch¨apers, Nano Lett. 11, 3550 (2011).
  27. E. E. Boyd, K. Storm, L. Samuelson, and R. M. Westervelt, Nanotechnology 22, 185201 (2011).
  28. L. B. Wang, J. K. Guo, N. Kang, D. Pan, S. Li, D. Fan, J. Zhao, and H. Q. Xu, Appl. Phys. Lett. 106, 173105 (2015).
  29. K. Takase, Y. Ashikawa, G. Zhang, K. Tateno, and S. Sasaki, Sci. Rep. 7, 930 (2017).
  30. D. Liang, J. Du, and X. P. A. Gao, Phys. Rev. B 81, 153304 (2010).
  31. A. Makarovski, J. Liu, and G. Finkelstein, Phys. Rev. Lett. 99, 066801 (2007).
  32. L. B. Wang, D. Pan, G. Y. Huang, J. Zhao, N. Kang, and H. Q. Xu, Nanotechnology 30, 124001 (2019).
  33. H. Lu¨th, Ch. Bl¨omers, Th. Richter, J. Wensorra, S. Est´evez Hern´andez, G. Petersen, M. Lepsa, Th. Sch¨apers, M. Marso, M. Indlekofer, R. Calarco, R. Demarina, and D. Gru¨tzmacher, Phys. Stat. Sol. C 7, 386 (2010).
  34. H. Haucke et al., Phys. Rev. B 41, 12454 (1990).
  35. A. A. Zhukov et al., JETP 115, 1062 (2012).
  36. A. A. Zhukov et al., JETP 116, 138 (2013).
  37. A. A. Zhukov, Ch. Volk, A. Winden, H. Hardtdegen, and Th. Sch¨apers, J. Phys. Cond. Matt. 26, 165304 (2014).
  38. B. L. Altshuler, Y. Gefen, A. Kamenev, and L. S. Levitov, Phys. Rev. Lett. 78, 2803 (1997).
  39. A. D. Mirlin and Y. V. Fyodorov, Phys. Rev. B 56, 13393 (1997).
  40. B. L. Altshuler, V. E. Kravtsov, and I. V. Lerner, JETP Lett. 45, 199 (1987).
  41. B. A. Muzykantskii and D. E. Khmelnitskii, Phys. Rev. B 51, 5480 (1995).
  42. A. D. Mirlin, JETP Lett. 62, 603 (1995).

Declaração de direitos autorais © Russian Academy of Sciences, 2024

Este site utiliza cookies

Ao continuar usando nosso site, você concorda com o procedimento de cookies que mantêm o site funcionando normalmente.

Informação sobre cookies