In situ detection of the phase transformations in silicon during nanoindentation


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

A method for the in situ detection of the phase transformations of silicon Si-I → Si-II → Si-XII/Si-III during indentation is developed. The method is based on the simultaneous detection of a Ph diagram and the electrical resistance during indentation into a narrow (≈2 μm) gap between metallic films deposited on the silicon surface. The sensitivity of the method makes it possible to resolve an increase in the Si-II silicon volume during indentation.

Авторлар туралы

A. Dmitrievskiy

Tambov State University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: aadmitr@yandex.ru
Ресей, Tambov, 392000

D. Guseva

Tambov State University

Email: aadmitr@yandex.ru
Ресей, Tambov, 392000

N. Efremova

Tambov State University

Email: aadmitr@yandex.ru
Ресей, Tambov, 392000

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2016