Metal–semiconductor–metal detectors ZnS/GaP for the ultraviolet and visible part of the spectrum with electrically tunable spectral photosensitivity

S. V. Averin; Аверин С. В.; V. A. Zhitov; Житов В. А.; L. Yu. Zakharov; Захаров Л. Ю.; V. M. Kotov; Котов В. М.; M. P. Temiryazeva; Темирязева М. П.

doi:10.31857/S0033849423090024

Metal–semiconductor–metal detectors ZnS/GaP for the ultraviolet and visible part of the spectrum with electrically tunable spectral photosensitivity

Autores: Averin S.¹, Zhitov V.¹, Zakharov L.¹, Kotov V.¹, Temiryazeva M.¹
Afiliações:
1. Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Fryazino Branch
Edição: Volume 68, Nº 9 (2023)
Páginas: 924-929
Seção: К 70-ЛЕТИЮ ИРЭ ИМ. В.А. КОТЕЛЬНИКОВА РАН
URL: https://journals.rcsi.science/0033-8494/article/view/138436
DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849423090024
EDN: https://elibrary.ru/SDNVRT
ID: 138436

Citar

Texto integral

Acesso aberto
Acesso é fechado

Acesso está concedido
Acesso é fechado

Somente assinantes

Resumo
Sobre autores
Bibliografia
Arquivos suplementares
Estatísticas

Resumo

High-quality ZnS epitaxial layers grown on GaP semiconductor substrates by MOCVD method. Photodetectors of the visible and UV parts of the spectrum based on new interdigitated Schottky barrier metal–semiconductor–metal (MSM) contacts to semiconductor structure ZnS/GaP. The detectors exhibit low dark current values. The dependence of the characteristics of the spectral response of detectors on voltage has been established offsets. It was found that the long-wavelength response boundary of ZnS/GaP MSM detectors can shift from 355 to 450 nm when the bias voltage changes from 10 to 30 V. At the maximum photosensitivity wavelength of 450 nm, the ampere-watt sensitivity of the detector was 0.3 A/W at a bias voltage of 60 V, and the quantum efficiency was 82%.

Palavras-chave

Schottky barrier, metal–semiconductor–metal contact, dark current, hotosensitivity

Bibliografia

Lin C., Lu Y., Tian Y. et al. // Opt. Express. 2019. V. 27. № 21. P. 29962.
Monroy E., Omnes F., Calle F. // Semicond. Sci. Technol. 2003. V. 18. № 4. P. R33.
Бланк Т.Б., Гольдберг Ю.А. // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. № 9. С. 1025.
Qin Z., Song D., Xu Zh. et al. // Organic Electron. 2020. V. 76. Article No. 105417.
Vigue F., Tournie E., Faurie J.-P. // Electron. Lett. 2000. V. 36. № 4. P. 352.
Monroy E., Vigue F., Calle F. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. № 17. P. 2761.
Vigue F., Tournie E., Faurie J.-P. // IEEE J. Quant. Electron. 2001. V. 37. № 9. P. 1146.
Chen W.-R., Meen T.-H., Cheng Y.-Ch. // IEEE Electron Device Lett. 2006. V. 27. № 25. P. 347.
Qin Z., Song D., Xu Zh. et al. // Organic Electron. 2020. V. 76. P. 105417.
Синицкая О.А., Шубина К.Ю., Мохов Д.В. и др. // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки. 2022. Т. 15. № 3.3. С. 157.
Soole J.B.D., Schumaher H. // IEEE J. Quantum Electron. 1991. V. 27. № 3. P. 737.
Аверин С.В., Гуляев Ю.В., Дмитриев М.Д. и др. // Квантов. электроника. 1996. Т. 23. № 3. С. 284.
Аверин С.В., Кузнецов П.И., Житов В.А. и др. // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 11. С. 1441.
Аззам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. M.: Мир, 1981. С. 379.
Aspnes D.E., Studna A.A. // Phys. Rev. B. 1983. V. 27. № 2. P. 985.
Averine S.V., Chan Y.C., Lam Y.L. // Solid State Electron. 2001. V. 45. № 3. P. 441.
Аверин С.В., Кузнецов П.И., Алкеев Н.В. // Журн. технич. физики. 2009. Т. 79. № 10. С. 89.
Averin S.V., Kuznetzov P.I., Zhitov V.A. et al. // Solid State Electron. 2015. V. 114. P. 135.
Averin S.V., Sachot R. // Solid State Electron. 2000. V. 44. № 9. P. 1627.
Lee I.-H. // Phys. Status Solidi A. 2002. V. 192. № 1. P. R4.
Kim D.-W., Chea K.-S., Park Y.-J. et al. // Phys. Status Solidi. 2004. V. A201. P. 2686.
Liu K.W., Ma J.G., Zhang J.Y. et al. // Solid State Electron. 2007. V. 51. № 5. P. 757.
Janow N.N., Yam F.K., Thahab S.M. et al. // Current Appl. Phys. 2010. V. 10. P. 1452.
Chang S.J., Su Y.K., Chen W.R. et al. // IEEE Photonics Technol. Lett. 2002. V.14. № 2. P. 188.
Yan Z., Jinglan S., Nili W. et al. // J. Semiconductors. 2010. V. 31. № 12. P. 124015.
Zhang Z., Wenckstern H., Schmidt M., Grundmann M. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 99. № 8. P. 083502.
Rhoderick E.H., Williams R.H. Metal-Semiconductor Contacts: Oxford: Univ. Press, 1988.
So I.K., Ma H., Zhang Z.Q., Wong G.K.L. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. № 9. P. 1098.
Sou I.K., Wu M.C.W., Sun T. et al. // J. Electronic Mater. 2001. V. 30. № 6. P. 673.
Lin T.K., Chang S.J., Su Y.K. et al. // Mater. Sci. Engineering B. 2005. V. 119. № 2. P. 202.