Peculiarities of the Formation and Growth of Thin Gold Films on the Surface of Gallium Arsenide during Thermal Evaporation in Vacuum

T. A. Bryantseva; Брянцева Т. А.; V. E. Lyubchenko; Любченко В. Е.; D. V. Lyubchenko; Любченко Д. В.; I. A. Markov; Марков И. А.; Yu. A. Ten; Тен Ю. А.

doi:10.31857/S0033849423050030

Особенности образования и роста тонких пленок золота на поверхности арсенида галлия при термическом испарении в вакууме

Авторы: Брянцева Т.А.¹, Любченко В.Е.¹, Любченко Д.В.², Марков И.А.¹, Тен Ю.А.¹
Учреждения:
1. Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
2. Department of Micro and Nanosystems, KTH Royal Institute of Technology
Выпуск: Том 68, № 5 (2023)
Страницы: 461-469
Раздел: НАНОЭЛЕКТРОНИКА
URL: https://journals.rcsi.science/0033-8494/article/view/138243
DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849423050030
EDN: https://elibrary.ru/UHIIFI
ID: 138243

Цитировать

Полный текст

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Проведены исследования изменения морфологии и структуры поверхности GaAs при осаждении пленки Au путем термического испарения в вакууме. Обнаружено, что осаждение пленки Au с участием потока частиц и света от разогретого испарителя вызывает возникновение фотоэффектов в приповерхностных слоях GaAs, включая дифракцию света на поверхностных акустических волнах, рост вискеров и эмиссию электронов, что приводит к образованию микротрещин на поверхности GaAs и росту кристаллитов GaAs. Показано, что структура и состав границ пленки Au и поверхности GaAs зависят от концентрации электронов в арсениде галлия, что в конечном итоге определяет свойства электрофизических параметров контактов Au – GaAs.

Ключевые слова

morphology, structure, surface acoustic waves, film boundaries, microcracks

Список литературы

Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. М.: Высш. шк., 1987.
Гладков С.О. Физика композитов. Термодинамические и диссипативные свойства, М.: Наука, 1999.
Брянцева Т.А., Любченко Д.В., Марков И.А., Тен Ю.А. // Журн. радиоэлектроники. 2019. № 6. http://jre.cplire.ru/jre/jun19/9/text.pdf.
Брянцева Т.А., Любченко Д.В., Любченко В.Е. и др. // ФТП. 2014. Т. 48. № 2. С. 196.
Брянцева Т.А., Любченко В.Е., Любченко Д.В. и др. // РЭ. 2009. Т. 54. № 5. С. 621.
Lioubtchenko D.V., Briantseva T.A., Lebedeva Z.M. et al. // Defect and Diffusion Forum. 2001. V. 194–199. P. 745.
Брянцева Т.А., Марков И.А., Тен Ю.А. // РЭ. 2021. Т. 66. № 5. С. 490.
Физический энциклопедический словарь. М.: Сов. энциклопедия, 1983.
Laser Annealing of Semiconductors / Eds. by J.M. Poate, J.W. Mayer. N. Y.: Academic, 1982.
Арсенид галлия в микроэлектронике / Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. М.: Мир, 1988.
Брянцева T.А., Любченко В.Е., Юневич Е.О. // РЭ. 1987. Т. 10. № 11. С. 2231.
Физические величины. Справочник. Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова М.: Энергоатомиздат,1991.
Кристи Р., Питти А. Строение вещества: введение в современную физику. М.: Наука, 1969.
Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978.
Фролов Ю.Г. Курс коллоидной химии. Поверхностные явления и дисперсные системы. М.: Химия, 1982.
Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Г. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. № 10. С. 1260.