Peculiarities of the Formation and Growth of Thin Gold Films on the Surface of Gallium Arsenide during Thermal Evaporation in Vacuum

T. A. Bryantseva; Брянцева Т. А.; V. E. Lyubchenko; Любченко В. Е.; D. V. Lyubchenko; Любченко Д. В.; I. A. Markov; Марков И. А.; Yu. A. Ten; Тен Ю. А.

doi:10.31857/S0033849423050030

Peculiarities of the Formation and Growth of Thin Gold Films on the Surface of Gallium Arsenide during Thermal Evaporation in Vacuum

作者: Bryantseva T.¹, Lyubchenko V.¹, Lyubchenko D.², Markov I.¹, Ten Y.¹
隶属关系:
1. Institute of Radioengineering and Electronics, Fryazino Branch, Russian Academy of Sciences
2. Department of Micro and Nanosystems, KTH Royal Institute of Technology
期: 卷 68, 编号 5 (2023)
页面: 461-469
栏目: НАНОЭЛЕКТРОНИКА
URL: https://journals.rcsi.science/0033-8494/article/view/138243
DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849423050030
EDN: https://elibrary.ru/UHIIFI
ID: 138243

如何引用文章

全文:

开放存取

##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问

订阅存取

详细
作者简介
参考
补充文件
统计

详细

Changes in the morphology and structure of the GaAs surface during the deposition of an Au film by thermal evaporation in vacuum have been studied. It has been found that the deposition of an Au film with the participation of a flow of particles and light from a heated evaporator causes the appearance of photoeffects in the near-surface GaAs layers, including light diffraction on surface acoustic waves, the growth of whiskers, and electron emission, which leads to the formation of microcracks on the GaAs surface and the growth of GaAs crystallites. It is shown that the structure and composition of the film boundaries of Au and GaAs surfaces depend on the electron concentration in gallium arsenide, which ultimately determines the properties of the electrophysical parameters of the Au–GaAs contacts.

关键词

morphology, structure, surface acoustic waves, film boundaries, microcracks

参考

Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. М.: Высш. шк., 1987.
Гладков С.О. Физика композитов. Термодинамические и диссипативные свойства, М.: Наука, 1999.
Брянцева Т.А., Любченко Д.В., Марков И.А., Тен Ю.А. // Журн. радиоэлектроники. 2019. № 6. http://jre.cplire.ru/jre/jun19/9/text.pdf.
Брянцева Т.А., Любченко Д.В., Любченко В.Е. и др. // ФТП. 2014. Т. 48. № 2. С. 196.
Брянцева Т.А., Любченко В.Е., Любченко Д.В. и др. // РЭ. 2009. Т. 54. № 5. С. 621.
Lioubtchenko D.V., Briantseva T.A., Lebedeva Z.M. et al. // Defect and Diffusion Forum. 2001. V. 194–199. P. 745.
Брянцева Т.А., Марков И.А., Тен Ю.А. // РЭ. 2021. Т. 66. № 5. С. 490.
Физический энциклопедический словарь. М.: Сов. энциклопедия, 1983.
Laser Annealing of Semiconductors / Eds. by J.M. Poate, J.W. Mayer. N. Y.: Academic, 1982.
Арсенид галлия в микроэлектронике / Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. М.: Мир, 1988.
Брянцева T.А., Любченко В.Е., Юневич Е.О. // РЭ. 1987. Т. 10. № 11. С. 2231.
Физические величины. Справочник. Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова М.: Энергоатомиздат,1991.
Кристи Р., Питти А. Строение вещества: введение в современную физику. М.: Наука, 1969.
Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978.
Фролов Ю.Г. Курс коллоидной химии. Поверхностные явления и дисперсные системы. М.: Химия, 1982.
Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Г. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. № 10. С. 1260.