ПОТЕРИ МОЩНОСТИ ИЗЛУЧЕНИЯ В СВЕТОДИОДАХ

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription Access

Abstract

На основании анализа известных литературных данных и структуры конструктивно оформленных светодиодов предложена классификация потерь мощности излучения активного слоя светодиода. При этом выделены активные и пассивные потери мощности светодиода. Показано, что пассивные потери мощности излучения не приводят к изменению квантового выхода активного (рабочего) слоя светодиода и/или прямой ветви вольт-амперной характеристики, но при этом проявляются в виде аномалий на светотехнических характеристиках светодиодов. Предложена методика определения пассивных потерь мощности излучения активного слоя светодиодов. На примере светодиодов инфракрасного диапазона длин волн, изготовленных на основе гетероструктур AlGaAs, показана эффективность контроля пассивных потерь мощности излучения светодиодов при исследовании их эксплуатационных свойств.

About the authors

А. Градобоев

Национальный исследовательский Томский политехнический университет

Author for correspondence.
Email: gava@tpu.ru
Россия, 634050, Томск, просп. Ленина, 30

К. Орлова

Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”

Author for correspondence.
Email: KNOrlova@mephi.ru
Россия, 115409, Москва, Каширское шоссе, 31

Ф. Жамалдинов

Национальный исследовательский Томский политехнический университет

Email: KNOrlova@mephi.ru
Россия, 634050, Томск, просп. Ленина, 30

References

  1. Bergh A.A., Dean P.J. Light-emitting diodes. Oxford: Clarendon Press, 1976.
  2. Коган Л.М. Полупроводниковые светоизлучающие диоды. М.: Энергоатомиздат, 1983.
  3. Шуберт Ф. Светодиоды. М.: Физматлит, 2008.
  4. Eliashevich I., Dcbray J., Tran C.A., Venugopalan H., Karlicck Jr. F.R. // Proc. ot SPIE Light-Emitting Diodes: Research. Manufacturing, and Applications IV. 2000. V. 3938. https://doi.org/10.1117/12.382815
  5. Stockman S.A., Walter Yao H., Schubert E.F. // Proc. of SPIE Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII. 2004. V. 5366. https://doi.org/10.1117/12.528938
  6. Холгер Проcc (Holger Pross) // Современная светотехника. 2010. № 5. С. 47.
  7. Gradoboev A.V., Simonova A.V., Orlova K.N. // Physica Status Solidi (C). 2016. V. 13. № 10–12. P. 895. https://doi.org/10.1002/pssc.201600035
  8. Shailesh K.R., Ciji P.K., Savitha G.K. // International Journal of Semiconductor Science & Technology. 2012. V. 3. № 1. P. 43. https://doi.org/10.1109/ICETEEEM.2012.6494509
  9. Orlova K., Gradoboev A.V., Simonova A. // International Journal of Emerging Technology and Advanced Engineering. 2022. V. 12. P. 100. https://doi.org/10.46338/ijetae0222_12
  10. Gradoboev A.V., Orlova K.N. // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 2015. V. 81. № 1. P. 012008. https://doi.org/10.1088/1757-899X/81/1/012008
  11. Aliyu Y.H., Morgan D.V., Thomas H., Bland S.W. // Electronics Letters. 1995. V. 31. Issue19. P. 1691. https://doi.org/10.1049/el:19951132
  12. Chin A.K., Zydzik G., Singh S., van Uitert L.G., Minneci G. // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena. 1983. V. 1. Issue 1. P. 72.
  13. Gessmann T., Schubert E.R., Graff J.W., Streubel K., Kamutsch C. // IEEE Electron Device Letters. 2003. V. 24. Issue 11. P. 683. https://doi.org/10.1109/LED.2003.817386
  14. Lee Y.C., Lee C.E., Kuo H.C., Lu T.C., Wang S.C. // IEEE Photonics Technology Letters. 2008. V. 20. Issue 5. P. 369. https://doi.org/10.1109/LPT.2008.2010903
  15. Suzuki T., Matsumoto Y. // Applied Physics Letters. 1975. V. 26. № 8. P. 431. https://doi.org/0.1063/1.88226
  16. Ishida K., Kamejima T., Matsui J. // Applied Physics Letters. 1977. V. 31. № 6. P. 397.
  17. Chin A.K., Zipfel C.L., Chin B.H., DiGiuseppe M.A. // Applied Physics Letters. 1983. V. 42. № 12. P. 1031. https://doi.org/10.1063/1.93831
  18. Chand N., Chu S.N.G. // Applied Physics Letters. 1991. V. 58. № 1. P. 74.
  19. Lester S.D., Ponce R.A., Craford M.G., Steigerwald D.A. // Applied Physics Letters. 1995. V. 66. № 10. P. 1249. https://doi.org/10.1063/1.113252
  20. Hino T., Tomiya S., Miyajima T., Yanashima K., Hashimoto S., Ikeda M. // Applied Physics Letters. 2000. V. 76. № 23. P. 3421. https://doi.org/10.1063/1.126666
  21. Градобоев А.В., Орлова К.Н., Симонова А.В., Сед-нев В.В. // ПТЭ. 2021. № 5. С. 90. https://doi.org/10.31857/S0032816221040157

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
2.

Download (35KB)
3.

Download (34KB)
4.

Download (40KB)
5.

Download (69KB)
6.

Download (26KB)
7.

Download (73KB)
8.

Download (33KB)

Copyright (c) 2022 А.В. Градобоев, К.Н. Орлова, Ф.Ф. Жамалдинов

This website uses cookies

You consent to our cookies if you continue to use our website.

About Cookies