ПОТЕРИ МОЩНОСТИ ИЗЛУЧЕНИЯ В СВЕТОДИОДАХ

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

На основании анализа известных литературных данных и структуры конструктивно оформленных светодиодов предложена классификация потерь мощности излучения активного слоя светодиода. При этом выделены активные и пассивные потери мощности светодиода. Показано, что пассивные потери мощности излучения не приводят к изменению квантового выхода активного (рабочего) слоя светодиода и/или прямой ветви вольт-амперной характеристики, но при этом проявляются в виде аномалий на светотехнических характеристиках светодиодов. Предложена методика определения пассивных потерь мощности излучения активного слоя светодиодов. На примере светодиодов инфракрасного диапазона длин волн, изготовленных на основе гетероструктур AlGaAs, показана эффективность контроля пассивных потерь мощности излучения светодиодов при исследовании их эксплуатационных свойств.

Об авторах

А. В. Градобоев

Национальный исследовательский Томский политехнический университет

Email: gava@tpu.ru
Россия, 634050, Томск, просп. Ленина, 30

К. Н. Орлова

Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”

Email: KNOrlova@mephi.ru
Россия, 115409, Москва, Каширское шоссе, 31

Ф. Ф. Жамалдинов

Национальный исследовательский Томский политехнический университет

Автор, ответственный за переписку.
Email: KNOrlova@mephi.ru
Россия, 634050, Томск, просп. Ленина, 30

Список литературы

  1. Bergh A.A., Dean P.J. Light-emitting diodes. Oxford: Clarendon Press, 1976.
  2. Коган Л.М. Полупроводниковые светоизлучающие диоды. М.: Энергоатомиздат, 1983.
  3. Шуберт Ф. Светодиоды. М.: Физматлит, 2008.
  4. Eliashevich I., Dcbray J., Tran C.A., Venugopalan H., Karlicck Jr. F.R. // Proc. ot SPIE Light-Emitting Diodes: Research. Manufacturing, and Applications IV. 2000. V. 3938. https://doi.org/10.1117/12.382815
  5. Stockman S.A., Walter Yao H., Schubert E.F. // Proc. of SPIE Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII. 2004. V. 5366. https://doi.org/10.1117/12.528938
  6. Холгер Проcc (Holger Pross) // Современная светотехника. 2010. № 5. С. 47.
  7. Gradoboev A.V., Simonova A.V., Orlova K.N. // Physica Status Solidi (C). 2016. V. 13. № 10–12. P. 895. https://doi.org/10.1002/pssc.201600035
  8. Shailesh K.R., Ciji P.K., Savitha G.K. // International Journal of Semiconductor Science & Technology. 2012. V. 3. № 1. P. 43. https://doi.org/10.1109/ICETEEEM.2012.6494509
  9. Orlova K., Gradoboev A.V., Simonova A. // International Journal of Emerging Technology and Advanced Engineering. 2022. V. 12. P. 100. https://doi.org/10.46338/ijetae0222_12
  10. Gradoboev A.V., Orlova K.N. // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 2015. V. 81. № 1. P. 012008. https://doi.org/10.1088/1757-899X/81/1/012008
  11. Aliyu Y.H., Morgan D.V., Thomas H., Bland S.W. // Electronics Letters. 1995. V. 31. Issue19. P. 1691. https://doi.org/10.1049/el:19951132
  12. Chin A.K., Zydzik G., Singh S., van Uitert L.G., Minneci G. // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena. 1983. V. 1. Issue 1. P. 72.
  13. Gessmann T., Schubert E.R., Graff J.W., Streubel K., Kamutsch C. // IEEE Electron Device Letters. 2003. V. 24. Issue 11. P. 683. https://doi.org/10.1109/LED.2003.817386
  14. Lee Y.C., Lee C.E., Kuo H.C., Lu T.C., Wang S.C. // IEEE Photonics Technology Letters. 2008. V. 20. Issue 5. P. 369. https://doi.org/10.1109/LPT.2008.2010903
  15. Suzuki T., Matsumoto Y. // Applied Physics Letters. 1975. V. 26. № 8. P. 431. https://doi.org/0.1063/1.88226
  16. Ishida K., Kamejima T., Matsui J. // Applied Physics Letters. 1977. V. 31. № 6. P. 397.
  17. Chin A.K., Zipfel C.L., Chin B.H., DiGiuseppe M.A. // Applied Physics Letters. 1983. V. 42. № 12. P. 1031. https://doi.org/10.1063/1.93831
  18. Chand N., Chu S.N.G. // Applied Physics Letters. 1991. V. 58. № 1. P. 74.
  19. Lester S.D., Ponce R.A., Craford M.G., Steigerwald D.A. // Applied Physics Letters. 1995. V. 66. № 10. P. 1249. https://doi.org/10.1063/1.113252
  20. Hino T., Tomiya S., Miyajima T., Yanashima K., Hashimoto S., Ikeda M. // Applied Physics Letters. 2000. V. 76. № 23. P. 3421. https://doi.org/10.1063/1.126666
  21. Градобоев А.В., Орлова К.Н., Симонова А.В., Сед-нев В.В. // ПТЭ. 2021. № 5. С. 90. https://doi.org/10.31857/S0032816221040157

Дополнительные файлы


© А.В. Градобоев, К.Н. Орлова, Ф.Ф. Жамалдинов, 2022

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».