Исследование электрических свойств и характеризация металлополимерного проводника на основе серебросодержащих нанопроволок

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Показана возможность образования проводящего металлополимерного композита на основе массива пересекающихся серебросодержащих нанопроволок. Электрические и механические характеристики композитов зависят как от времени осаждения, так и от отношения площадей анода и катода. Механические характеристики полученных металлополимерных композитов выше по сравнению с полимерными трековыми мембранами из полиэтилентерефталата. С увеличением отношения площадей анода и катода и времени осаждения падают электропроводимость (0.0025 Ом–1 при 100 циклах роста, 0.0033 Ом–1 при 50 циклах), прочность (90 МПа при 100 циклах, 99 МПа при 50 циклах) и модуль упругости (4.7 ГПа при 100 циклах, 5.4 ГПа при 50 циклах). Проводящие серебросодержащие нанопроволоки могут играть роль армирующих структур для проводящих металлополимерных композитов, обладающих высокой электропроводностью, и применяться в элементах гибкой электроники.

Об авторах

Д. В. Панов

НИЦ “Курчатовский институт”

Автор, ответственный за переписку.
Email: dggamer@mail.ru

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники

Россия, Москва

И. С. Волчков

НИЦ “Курчатовский институт”

Email: dggamer@mail.ru

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники

Россия, Москва

Н. П. Ковалец

Московский педагогический государственный университет

Email: dggamer@mail.ru
Россия, Москва

П. Л. Подкур

НИЦ “Курчатовский институт”

Email: dggamer@mail.ru

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники

Россия, Москва

И. О. Кошелев

НИЦ “Курчатовский институт”

Email: dggamer@mail.ru

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники

Россия, Москва

В. М. Каневский

НИЦ “Курчатовский институт”

Email: dggamer@mail.ru

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники

Россия, Москва

Список литературы

  1. Goki E., Fanchini G., Manish C. // Nature Nanotechnol. 2008. V. 3. P. 270. https://doi.org/10.1038/nnano.2008.83
  2. Ye S., Rathmell A.R., Chen Z. et al. // Adv. Mater. 2014. V. 26. P. 6670. https://doi.org/10.1002/adma.201402710
  3. Langley D., Giusti G., Mayousse C. et al. // Nanotechnology. 2013. V. 24. P. 452001. https://doi.org/10.1088/0957-4484/24/45/452001
  4. Hecht D.S., Hu L., Irvin G. // Adv Mater. 2011. V. 23. P. 1482. https://doi.org/10.1002/adma.201003188
  5. McCoul D., Hu W., Gao M. et al. // Adv. Electron. Mater. 2016. V. 2. P. 1500407. https://doi.org/10.1002/aelm.201500407
  6. Kumar A., Zhou P. // ACS Nano. 2010. V. 4. P. 11. https://doi.org/10.1021/nn901903b
  7. Mayousse C., Celle C., Moreau E. et al. // Nanotechnology. 2013. V. 24. P. 215501. https://doi.org/10.1088/0957-4484/24/21/215501
  8. Kwon J., Suh Y.D., Lee J. et al. // J. Mater. Chem. 2018. V. 6. P. 7445. https://doi.org/10.1039/c8tc01024b
  9. Celle C., Mayousse C., Moreau E. et al. // Nano Res. 2012. V. 5. P. 427. https://doi.org/10.1007/s12274-012-0225-2
  10. Jiu J., Suganuma K. // IEEE Trans. Components, Packaging Manufactur. Technol. 2016. V. 6. P. 1733. https://doi.org/10.1109/tcpmV.2016.2581829
  11. Lan W., Chen Y., Yang Z. et al. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2017. V. 9. № 7. P. 6644. https://doi.org/10.1021/acsami.6b16853
  12. Kaikanov M., Amanzhulov B., Demeuova G. et al. // Nanomaterials (Basel). 2020. V. 10. P. 2153. https://doi.org/10.3390/nano10112153
  13. Kim Y.J., Kim G., Kim H.-K. // Metals. 2019. V. 9. P. 1073. https://doi.org/10.3390/met9101073
  14. Seo V.H., Lee S., Min K.H. et al. // Sci. Rep. 2016. V. 6. P. 29464. https://doi.org/10.1038/srep29464
  15. Pham S.H., Ferri A., Da A. et al. // Adv. Mater. Interfaces. 2022. V. 9. P. 2200019. https://doi.org/10.1002/admi.202200019
  16. Xu H., Shang H., Wang C., Du Y. // Adv. Funct. Mater. 2020. V. 30. P. 2000793. https://doi.org/10.1002/adfm.202000793
  17. Maisch P., Tam K., Lucera L. et al. // Org. Electron. 2016. V. 38. P. 139. https://doi.org/10.1016/j.orgel.2016.08.006
  18. Zhang L., Song V., Shi L. et al. // J. Nanostruct. Chem. 2021. V. 11. P. 323. https://doi.org/10.1007/s40097-021-00436-3
  19. Lee J., Lee P., Lee H. et al. // Nanoscale. 2012. V. 4. P. 6408. https://doi.org/10.1039/c2nr31254a
  20. Lee P., Lee J., Lee H. et al. // Adv. Mater. 2012. V. 24. P. 3326. https://doi.org/10.1002/adma.201200359
  21. Mitrofanov A.V., Apel P.Y., Blonskaya I.V. et al. // Tech. Phys. 2006. V. 51. P. 1229. https://doi.org/10.1134/S1063784206090209
  22. Doludenko I.M., Volchkov I.S., Turenko B.A. et al. // Mater. Chem. Phys. 2022. V. 287. P. 126285. https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2022.126285
  23. Буркат Г.К. Электроосаждение драгоценных металлов. СПб.: Политехника, 2009. 21 с.
  24. Natter H., Hempelmann R. // J. Phys. Chem. 1996. V. 100. P. 19525. https://doi.org/10.1021/jp9617837
  25. Глинка Н.Л. Общая химия. М.: Интеграл-пресс, 2003. 727 c.
  26. Smits F.M. // Bell Syst. Tech. J. 1958. V. 37. P. 711.
  27. Акименко С.Н., Мамонова Т.И., Орелович О.Л. и др. // ВИНИТИ. Сер. Критические технологии. Мембраны. 2002. Т. 15. С. 21.
  28. Doludenko I.M. // Inorg. Mater.: Appl. Res. 2022. V. 13. P. 531. https://doi.org/10.1134/S2075113322020125
  29. Wakamoto K., Mochizuki Y., Otsuka V. et al. // Materials. 2020. V. 13. P. 4061. https://doi.org/10.3390/ma13184061

© Российская академия наук, 2024

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах