Исследование электрических свойств и характеризация металлополимерного проводника на основе серебросодержащих нанопроволок
- Авторы: Панов Д.В.1, Волчков И.С.1, Ковалец Н.П.2, Подкур П.Л.1, Кошелев И.О.1, Каневский В.М.1
-
Учреждения:
- НИЦ “Курчатовский институт”
- Московский педагогический государственный университет
- Выпуск: Том 69, № 4 (2024)
- Страницы: 661-669
- Раздел: НАНОМАТЕРИАЛЫ, КЕРАМИКА
- URL: https://journals.rcsi.science/0023-4761/article/view/264416
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0023476124040126
- EDN: https://elibrary.ru/XCIQCX
- ID: 264416
Цитировать
Аннотация
Показана возможность образования проводящего металлополимерного композита на основе массива пересекающихся серебросодержащих нанопроволок. Электрические и механические характеристики композитов зависят как от времени осаждения, так и от отношения площадей анода и катода. Механические характеристики полученных металлополимерных композитов выше по сравнению с полимерными трековыми мембранами из полиэтилентерефталата. С увеличением отношения площадей анода и катода и времени осаждения падают электропроводимость (0.0025 Ом–1 при 100 циклах роста, 0.0033 Ом–1 при 50 циклах), прочность (90 МПа при 100 циклах, 99 МПа при 50 циклах) и модуль упругости (4.7 ГПа при 100 циклах, 5.4 ГПа при 50 циклах). Проводящие серебросодержащие нанопроволоки могут играть роль армирующих структур для проводящих металлополимерных композитов, обладающих высокой электропроводностью, и применяться в элементах гибкой электроники.
Об авторах
Д. В. Панов
НИЦ “Курчатовский институт”
Автор, ответственный за переписку.
Email: dggamer@mail.ru
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники
Россия, МоскваИ. С. Волчков
НИЦ “Курчатовский институт”
Email: dggamer@mail.ru
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники
Россия, МоскваН. П. Ковалец
Московский педагогический государственный университет
Email: dggamer@mail.ru
Россия, Москва
П. Л. Подкур
НИЦ “Курчатовский институт”
Email: dggamer@mail.ru
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники
Россия, МоскваИ. О. Кошелев
НИЦ “Курчатовский институт”
Email: dggamer@mail.ru
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники
Россия, МоскваВ. М. Каневский
НИЦ “Курчатовский институт”
Email: dggamer@mail.ru
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники
Россия, МоскваСписок литературы
- Goki E., Fanchini G., Manish C. // Nature Nanotechnol. 2008. V. 3. P. 270. https://doi.org/10.1038/nnano.2008.83
- Ye S., Rathmell A.R., Chen Z. et al. // Adv. Mater. 2014. V. 26. P. 6670. https://doi.org/10.1002/adma.201402710
- Langley D., Giusti G., Mayousse C. et al. // Nanotechnology. 2013. V. 24. P. 452001. https://doi.org/10.1088/0957-4484/24/45/452001
- Hecht D.S., Hu L., Irvin G. // Adv Mater. 2011. V. 23. P. 1482. https://doi.org/10.1002/adma.201003188
- McCoul D., Hu W., Gao M. et al. // Adv. Electron. Mater. 2016. V. 2. P. 1500407. https://doi.org/10.1002/aelm.201500407
- Kumar A., Zhou P. // ACS Nano. 2010. V. 4. P. 11. https://doi.org/10.1021/nn901903b
- Mayousse C., Celle C., Moreau E. et al. // Nanotechnology. 2013. V. 24. P. 215501. https://doi.org/10.1088/0957-4484/24/21/215501
- Kwon J., Suh Y.D., Lee J. et al. // J. Mater. Chem. 2018. V. 6. P. 7445. https://doi.org/10.1039/c8tc01024b
- Celle C., Mayousse C., Moreau E. et al. // Nano Res. 2012. V. 5. P. 427. https://doi.org/10.1007/s12274-012-0225-2
- Jiu J., Suganuma K. // IEEE Trans. Components, Packaging Manufactur. Technol. 2016. V. 6. P. 1733. https://doi.org/10.1109/tcpmV.2016.2581829
- Lan W., Chen Y., Yang Z. et al. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2017. V. 9. № 7. P. 6644. https://doi.org/10.1021/acsami.6b16853
- Kaikanov M., Amanzhulov B., Demeuova G. et al. // Nanomaterials (Basel). 2020. V. 10. P. 2153. https://doi.org/10.3390/nano10112153
- Kim Y.J., Kim G., Kim H.-K. // Metals. 2019. V. 9. P. 1073. https://doi.org/10.3390/met9101073
- Seo V.H., Lee S., Min K.H. et al. // Sci. Rep. 2016. V. 6. P. 29464. https://doi.org/10.1038/srep29464
- Pham S.H., Ferri A., Da A. et al. // Adv. Mater. Interfaces. 2022. V. 9. P. 2200019. https://doi.org/10.1002/admi.202200019
- Xu H., Shang H., Wang C., Du Y. // Adv. Funct. Mater. 2020. V. 30. P. 2000793. https://doi.org/10.1002/adfm.202000793
- Maisch P., Tam K., Lucera L. et al. // Org. Electron. 2016. V. 38. P. 139. https://doi.org/10.1016/j.orgel.2016.08.006
- Zhang L., Song V., Shi L. et al. // J. Nanostruct. Chem. 2021. V. 11. P. 323. https://doi.org/10.1007/s40097-021-00436-3
- Lee J., Lee P., Lee H. et al. // Nanoscale. 2012. V. 4. P. 6408. https://doi.org/10.1039/c2nr31254a
- Lee P., Lee J., Lee H. et al. // Adv. Mater. 2012. V. 24. P. 3326. https://doi.org/10.1002/adma.201200359
- Mitrofanov A.V., Apel P.Y., Blonskaya I.V. et al. // Tech. Phys. 2006. V. 51. P. 1229. https://doi.org/10.1134/S1063784206090209
- Doludenko I.M., Volchkov I.S., Turenko B.A. et al. // Mater. Chem. Phys. 2022. V. 287. P. 126285. https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2022.126285
- Буркат Г.К. Электроосаждение драгоценных металлов. СПб.: Политехника, 2009. 21 с.
- Natter H., Hempelmann R. // J. Phys. Chem. 1996. V. 100. P. 19525. https://doi.org/10.1021/jp9617837
- Глинка Н.Л. Общая химия. М.: Интеграл-пресс, 2003. 727 c.
- Smits F.M. // Bell Syst. Tech. J. 1958. V. 37. P. 711.
- Акименко С.Н., Мамонова Т.И., Орелович О.Л. и др. // ВИНИТИ. Сер. Критические технологии. Мембраны. 2002. Т. 15. С. 21.
- Doludenko I.M. // Inorg. Mater.: Appl. Res. 2022. V. 13. P. 531. https://doi.org/10.1134/S2075113322020125
- Wakamoto K., Mochizuki Y., Otsuka V. et al. // Materials. 2020. V. 13. P. 4061. https://doi.org/10.3390/ma13184061