Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition of Thin GaS Films on Various Types of Substrates

M. A. Kudryashov; Кудряшов М. А.; L. A. Mochalov; Мочалов Л. А.; I. O. Prokhorov; Прохоров И. О.; M. A. Vshivtsev; Вшивцев М. А.; Yu. P. Kudryashova; Кудряшова Ю. П.; V. M. Malyshev; Малышев В. М.; E. A. Slapovskaya; Слаповская Е. А.

doi:10.31857/S0023119323060098

Плазмохимическое осаждение тонких пленок GaS на различные типы подложек

Авторы: Кудряшов М.А.¹^,2, Мочалов Л.А.¹^,2, Прохоров И.О.¹^,2, Вшивцев М.А.¹, Кудряшова Ю.П.², Малышев В.М.¹, Слаповская Е.А.²
Учреждения:
1. Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева
2. Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
Выпуск: Том 57, № 6 (2023)
Страницы: 495-499
Раздел: ПЛАЗМОХИМИЯ
URL: https://journals.rcsi.science/0023-1193/article/view/232824
DOI: https://doi.org/10.31857/S0023119323060098
EDN: https://elibrary.ru/RULDFW
ID: 232824

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Моносульфид галлия (GaS), как представитель монохалькогенидных слоистых материалов III группы, является полупроводником с широкой запрещенной зоной. Он считается идеальным материалом для детекторов света в синем и ближнем ультрафиолетовом диапазонах спектра. В этой работе впервые применен метод плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD) для получения тонких пленок GaS на различных подложках, где в качестве исходных веществ выступали высокочистые галлий и сера. Для инициирования взаимодействия между исходными материалами использовался неравновесный плазменный ВЧ-разряд (40.68 МГц) при давлении 0.1 Торр. Исследовано влияние природы подложки на стехиометрию, структуру и морфологию поверхности пленок GaS. Плазмохимический процесс изучался методом оптической эмиссионной спектроскопии.

Ключевые слова

тонкие пленки, моносульфид галлия, PECVD

Список литературы

Wang Q.H., Kalantar-Zadeh K., Kis A., Coleman J.N., Strano M.S. // Nat. Nanotechnol. 2012. V. 7. № 11. P. 699.
Jung C.S., Shojaei F., Park K., Oh J. Y., Im H.S., Jang D.M., Kang H.S. // ACS Nano. 2015. V. 9. № 10. P. 9585.
Haishuang L., Yu C., Kexin Y., Yawei K., Zhongguo L., Yushen L. // Front. Mater. 2021. V. 8. P. 478.
Cuculescu E., Evtodiev I., Caraman M., Rusu M. // J. Optoelectron. Adv. Mater. 2006. V. 8. № 3. P. 1077.
Okamoto N., Tanaka H. // Mater. Sci. Semicond. Process. 1999. V. 2. P. 13.
Jastrzebski C., Olkowska K., Jastrzebski D.J., Wierzbicki M., Gebicki W., Podsiadlo S. // J. Phys. Condens. Matter. 2018. V. 31. P. 075303.
Hu P., Wang L., Yoon M., Zhang J., Feng W., Wang X., Xiao K. // Nano Lett. 2013. V. 13. № 4. P. 1649.
Gutiérrez Y., Juan D., Dicorato S., Santos G., Duwe M., Thiesen P.H., Giangregorio M.M., Palumbo F., Hingerl K., Cobet C., García-Fernández P., Junquera J., Moreno F., Losurdo M. // Opt. Express. 2022. V. 30. № 15. P. 27609.
Lieth R.M.A., Van Der Maesen F. // Phys. status solidi A. 1972. V. 10. № 1. P. 73.
Kipperman A.H.M., Vermij C.J. // Nuovo cimento B. 1969. V. 63. P. 29.
Wang X., Sheng Y., Chang R.J., Lee J.K., Zhou Y., Li S., Warner J.H. // ACS Omega. 2018. V. 3. № 7. P. 7897.
Sanz C., Guillén C., Gutiérrez M.T. // J. Phys. D. 2009. V. 42. P. 085108.
Chen X., Hou X., Cao X., Ding X., Chen L., Zhao G., Wang X. // J. Cryst. Growth. 1997. V. 173. № 1. P. 51.
Okamoto N., Tanaka H., Hara N. // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. V. 40. № 2. P. 104.
Mochalov L., Logunov A., Prokhorov I., Vshivtsev M., Kudryashov M., Kudryashova Y., Malyshev V., Spivak Y., Greshnyakov E., Knyazev A., Fukina D., Yunin P., Moshnikov V. // Opt. Quantum Electron. 2022. V. 54. P. 646.
Shirai T., Reader J., Kramida A.E., Sugar J. // J. Phys. Chem. Ref. Data. 2007. V. 36. № 2. P. 509.