Investigation of the Plasma-Chemical Synthesis of Thin Ga2O3 Films Doped with Zn in One Step in Plasma

L. A. Mochalov; Мочалов Л. А.; M. A. Kudryashov; Кудряшов М. А.; I. O. Prokhorov; Прохоров И. О.; M. A. Vshivtsev; Вшивцев М. А.; Yu. P. Kudryashova; Кудряшова Ю. П.; E. A. Slapovskaya; Слаповская Е. А.; A. V. Knyazev; Князев А. В.

doi:10.31857/S0023119323060116

Исследование процесса плазмохимического синтеза тонких пленок Ga₂O₃, одностадийно легированных Zn в плазме

Авторы: Мочалов Л.А.¹, Кудряшов М.А.¹, Прохоров И.О.¹, Вшивцев М.А.¹, Кудряшова Ю.П.¹, Слаповская Е.А.¹, Князев А.В.¹
Учреждения:
1. Национальный Исследовательский Нижегородский Государственный Университет им. Н.И. Лобачевского
Выпуск: Том 57, № 6 (2023)
Страницы: 478-484
Раздел: ПЛАЗМОХИМИЯ
URL: https://journals.rcsi.science/0023-1193/article/view/232808
DOI: https://doi.org/10.31857/S0023119323060116
EDN: https://elibrary.ru/RVETZB
ID: 232808

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Был исследован процесс получения тонких пленок β-Ga₂O₃, легированных Zn с содержанием до 10 ат. %, методом плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD). Высокочистые галлий, цинк и кислород использовали в качестве исходных веществ. В качестве газа-носителя и плазмообразующего газа был выбран водород. Низкотемпературная неравновесная плазма ВЧ (40.68 МГц) разряда при пониженном давлении (0.01 Торр) применялась для инициации химических реакций прекурсоров. Плазмохимический процесс был изучен методом оптической эмиссионной спектроскопии (ОЭС). Структурные свойства и морфология осажденных пленок β-Ga₂O₃ были исследованы различными методами.

Ключевые слова

тонкие пленки, оксид галлия, PECVD

Список литературы

Peelaers H., Lyons J.L., Varley B., Van de Walle C.G. // APL Mater. 2019. V. 7. P. 022519.
Wang X.H., Zhang F.B., Saito K., Tanaka T., Nishio M., Guo Q.X. // J. Phys. Chem. Solids. 2014. V. 75. № 11. P. 1201.
Skachkov D., Lambrecht W.R.L. // Appl. Phys. Lett. 2019. V. 114. № 20. P. 202102.
Pearton S.J. et al. // Appl. Phys. Rev. 2018. V. 5. № 1. P. 011301.
Higashiwaki M., Jessen G.H. // Appl. Phys. Lett. 2018. V. 112. № 6. P. 060401.
Mastro M.A., Kuramata A., Calkins J., Kim J., Ren F., Pearton S.J. // ECS J. Solid State Sci. Technol. 2017 V. 6. № 5. P. 356.
Varley J.B., Weber J.R., Janotti A., Van de Walle C.G. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 97. № 14. P. 142106.
Wang X.H., Zhang F.B., Saito K., Tanaka T., Nishio M., Guo Q.X. // J. Phys. Chem. Solids. 2014 V. 75. № 11. P. 1201.
Wei Y. et al. // Semicond. 2012. V. 33. P. 073003.
Meng L. // Thesis. Presented in Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree Master of Science in the Graduate School of The Ohio State University. 2020.
Gu J.H., Lu Z., Long L., Zhong Z.Y., Yang C.Y., Hou J. // Mater. Sci. Pol. 2015. V. 33. P. 470.
Zhao H., Hu J., Chen S., Xie Q., He J. // Ceram. Int. 2016. V. 42. № 4. P. 5582.
Sowmya P., Kasturi V., Shivakumar G.K. // Semiconductors. 2012. V. 46. № 12. P. 1545.
Aleksandrova M., Ivanova T., Hamelmann F., Strijkova V., Gesheva K. // Coatings. 2020. V. 10. № 7. P. 650.
Mochalov L.A., Logunov A.A., Kudryashov M.A. // J. Phys: Conf. Ser. 2021. № 1967. P. 012037.
Mochalov L., Logunov A., Gogova D., Letnianchik A., Vorotyntsev V. // Optical and Quantum Electronics. 2020. V. 52 № 12. P. 510.
Mochalov L., Logunov A., Kudryashov M., Prokhorov I., Sazanova T., Yunin P., Pryakhina V., Vorotuntsev I., Malyshev V., Polyakov A., Pearton S.J. // ECS J. Solid State Sci. Technol. 2021. V. 10. P. 073002.
Mochalov L., Logunov A., Sazanova T., Kulikov A., Rafailov E.U., Zelentsov S. // 22nd International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON). 2020. P. 19991648.
Logunov A., Mochalov L., Gogova D., Vorotyntsev V. // International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON). 2019. P. 8840331.
Mochalov L., Logunov A., Vorotyntsev V. // Sep. Purif. Technol. 2021. V. 258. P. 118001.
Mochalov L., Logunov A., Kitnis A., Gogova D., Vorotyntsev V. // Sep. Purif. Technol. 2020. V. 238. P. 116446.