A Study on the Process of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition of (AlxGa1 – x)2O3 Thin Films

L. A. Mochalov; Мочалов Л. А.; M. A. Kudryashov; Кудряшов М. А.; I. O. Prokhorov; Прохоров И. О.; M. A. Vshivtsev; Вшивцев М. А.; Yu. P. Kudryashova; Кудряшова Ю. П.; A. V.  Knyazev; Князев А. В.

doi:10.31857/S0023119323050066

Исследование процесса плазмохимического осаждения тонких пленок системы (AL_xGA_1 – x)₂O₃

Авторы: Мочалов Л.А.¹, Кудряшов М.А.¹, Прохоров И.О.¹, Вшивцев М.А.¹, Кудряшова Ю.П.¹, Князев А.В.¹
Учреждения:
1. Университет Лобачевского
Выпуск: Том 57, № 5 (2023)
Страницы: 390-395
Раздел: ПЛАЗМОХИМИЯ
URL: https://journals.rcsi.science/0023-1193/article/view/140008
DOI: https://doi.org/10.31857/S0023119323050066
EDN: https://elibrary.ru/LPUENY
ID: 140008

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Впервые был исследован процесс получения тонких пленок β-Ga₂O₃, легированных Al, состава (Al_xGa_1 – x)₂O₃ плазмохимическим осаждением из газовой фазы (PECVD). Металлический высокочистый галлий, йодид алюминия (AlI₃), а также высокочистый кислород использовали в качестве прекурсоров. Низкотемпературная плазма при пониженном давлении (0.01 Торр) являлась инициатором химических превращений между исходными веществами. Процесс плазмохимического осаждения был исследован методом оптической эмиссионной спектроскопии (ОЭС) в диапазоне 180–1100 нм. Полученные тонкие пленки системы (Al_xGa_1 – x)₂O₃ с содержание фазы Al₂O₃ до 20% были исследованы различными аналитическими методами.

Ключевые слова

тонкие пленки, оксид галлия, оксид алюминия

Список литературы

Ahmadi E., Oshima Y. // J. Appl. Phys. 2019. V. 126. № 16. P. 160901.
Peelaers H., Lyons J.L., Varley J.B., Van de Walle C.G. // APL Mater. 2019. V. 7. № 2. P. 022519.
Oshima T., Kato Y., Kawano N., Kuramata A., Yamakoshi S., Fujita S., Oishi T., Kasu M. // APEX. 2017. V. 10. № 3. P. 035701.
Zhang Y., Neal A., Xia Z., Joishi C., Johnson J.M., Zheng Y., Bajaj S., Brenner M., Dorsey D., Chabak K., Jessen G., Hwang J., Mou S., Heremans J.P., Rajan S. // Appl. Phys. Lett. 2018. V. 112. № 17. P. 173502.
Olivier J. and Poirier R. // Surf. Sci. 1981. V. 105. P. 347.
Ishizawa N., Miyata T., Minato I., Marumo F., Iwai S. // Acta Crystallogr, B. 1980. V. 36. P. 228.
Hill V.G., Roy R., Osborn E.F. // J. Am. Ceram. Soc. 1952. V. 35. P. 135.
Jaromin A.L., Edwards D.D. // J. Am. Ceram. Soc. 2005. V. 88. P. 2573.
Kaun S.W., Wu F., Speck J.S. // JVST A. 2015. V. 33. P. 041508.
Horie R. // J. Alloys Compd. 2021. V. 851. P. 156927.
Lee H., Liu J., Lee C. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2018. V. 30. P. 549.
Wang X., Chen Z., Zhang F., Saito K., Tanaka T., Nishio M., Guo Q. // AIP Advances. 2016. V. 6. P. 015111.
Zhang F., Saito, K. Tanaka T., Nishio M., Arita M., Guo Q. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. P. 162107.
Bhuiyan A F M A. U., Feng Z., Johnson J.M., Huang H.-L., Sarker J., Zhu M., Karim M.R., Mazumder B., Hwang J., Zhao H. // APL Mater. 2020. V. 8. P. 031104.
Mochalov L.A., Logunov A.A., Kudryashov M.A. // Journal of Physics: Conference Series, 2021. V. 1967. № 1. P. 012037.
Mochalov L., Logunov A., Gogova D., Letnianchik A., Vorotyntsev V. // Optical and Quantum Electronics. 2020. V. 52. P. 510.
Mochalov L., Logunov A., Kudryashov M., Prokhorov I., Sazanova T., Yunin P., Pryakhina V., Vorotuntsev I., Malyshev V., Polyakov A., Pearton S.J. // J. Solid State Sci. Technol. 2021. V. 10. P. 073002.
Logunov A., Mochalov L., Gogova D., Vorotyntsev V. // International Conference on Transparent Optical Networks. 2019.
Mochalov L., Logunov A., Vorotyntsev V. // Sep. Purif. Technol. 2021. V. 258. P. 118001.
Mochalov L., Logunov A., Kitnis A., Gogova D., Vorotyntsev V. // Sep. Purif. Technol. 2020. V. 238. P. 116446.