Исследование структуры и времен жизни фотогенерированных носителей тока твердых растворов на основе теллурида кадмия в системах CdTe–Sb2Te3 и CdTe–CdSb
- Autores: Гапанович М.1,2, Рабенок E.1, Кольцов Е.1,3, Ракитин В.1, Геворкян В.4, Луценко Д.1,5
-
Afiliações:
- ФИЦ ПХФ и МХ РАН
- ФФФХИ МГУ им. М.В. Ломоносова
- МФТИ
- Российско-Армянский университет
- МГУ им. М.В. Ломоносова
- Edição: Volume 58, Nº 2 (2024)
- Páginas: 94–99
- Seção: ФОТОНИКА
- URL: https://journals.rcsi.science/0023-1193/article/view/262514
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0023119324020027
- EDN: https://elibrary.ru/VSYYJA
- ID: 262514
Citar
Resumo
Проведено исследование структуры твердых растворов CdTe–Sb2Te3 и CdTe–CdSb (от 0 до 1019 ат. Sb см–3), полученных методом многостадийного твердофазного синтеза из элементов. Обнаружено, что при введении сурьмы Sb3+ в теллурид кадмия наблюдается уменьшение объема элементарной ячейки, а при введении Sb3- – увеличение. Показано, что параметры кристаллической решетки плавно меняются вплоть до концентрации сурьмы 1018 ат. см-3 в обеих системах, тогда как при увеличении концентрации сурьмы >1018 ат. Sb см-3 характерно резкое изменение объема элементарной ячейки, обусловленное существенным изменением структуры. Методом время-разрешенной микроволновой фотопроводимости изучена кинетика гибели носителей тока. Обнаружено, что при внесении в CdTe сурьмы пороговой концентрации (1018 ат. Sb см-3) наблюдается увеличение времен жизни фотогенерированных носителей тока, что можно связать с образованием ассоциатов дефектов и процессом самокомпенсации при легировании.
Palavras-chave
Sobre autores
М. Гапанович
ФИЦ ПХФ и МХ РАН; ФФФХИ МГУ им. М.В. Ломоносова
Autor responsável pela correspondência
Email: gmw1@mail.ru
Rússia, 142432, г. Черноголовка, Московская обл., просп. Академика Семенова, 1; 119991, г. Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 51
E. Рабенок
ФИЦ ПХФ и МХ РАН
Email: gmw1@mail.ru
Rússia, 142432, г. Черноголовка, Московская обл., просп. Академика Семенова, 1
Е. Кольцов
ФИЦ ПХФ и МХ РАН; МФТИ
Email: gmw1@mail.ru
Rússia, 142432, г. Черноголовка, Московская обл., просп. Академика Семенова, 1; 141701, г. Долгопрудный, Московская область, Институтский пер., 9
В. Ракитин
ФИЦ ПХФ и МХ РАН
Email: gmw1@mail.ru
Rússia, 142432, г. Черноголовка, Московская обл., просп. Академика Семенова, 1
В. Геворкян
Российско-Армянский университет
Email: gmw1@mail.ru
Armênia, 0051; г. Ереван, ул. Овсепа Эмина, 123
Д. Луценко
ФИЦ ПХФ и МХ РАН; МГУ им. М.В. Ломоносова
Email: gmw1@mail.ru
xимический факультет
Rússia, 142432, г. Черноголовка, Московская обл., просп. Академика Семенова, 1; 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 3Bibliografia
- Luque A., Hegedus S. Handbook of Photovoltaic Science and Engineering. UK, Chichester: John Wiley & Sons, Ltd, 2011. 1105 p.
- Powalla M., Paetel S., Ahlswede E. et al. // Applied Physics Reviews. 2018. V. 5. № 4.
- Shockley W., Queisser H.J. // J. Applied Physics. 1961. № 32. P. 510.
- Косяченко Л.А. // Физика и техника полупроводников. 2006. Т. 40. № 6. С. 730.
- Kranz L., Gretener C., Perrenoud J. et al. // Nature communications. 2013. V. 4. № 1. P. 2306.
- Hehong Zhao et al. // In Proc. 33rd IEEE “Photovoltaic Specialists Conference”, 2008.
- Khan I.S. et al. // In Proc. 42nd IEEE “Photovoltaic Specialists Conference”, 2015.
- Ali M.H., Moon M.M.A., Rahman M.F. // Materials Research Express. 2019. V. 6. № 9. P. 095515.
- McCandless B.E., Buchanan W.A., Thompson C.P. et al. // Scientific reports. 2018. V. 8. № 1. P. 14519.
- Picos-Vega A., Ramírez-Bon R., Espinoza-Beltrán F.J. et al. // Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 1997. V. 15. № 5. P. 2592.
- Kadys A., Sudzius M., Jarasiunas K. et al. // Physica Status Solidi (b). 2007. V. 244. № 5. P. 1675.
- Fochuk P., Grill R., Nykonyuk Y. et al. // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2007. V. 54. № 4. P. 763.
- Kanie H., Ogino K., Kuwabara H. et al. // Physica Status Solidi (b). 2002. V. 229. № 1. P. 145.
- Nair J.P., Jayakrishnan R., Chaure N.B. et al. // Semiconductor science and technology. 1998. V. 13. № 3. P.340.
- Nair J.P., Chaure N.B., Jayakrishnan R. et al. // J. Physics and Chemistry of Solids. 2002. V. 63. P. 31.
- Kraft D., Späth B., Thißen A. et al. // MRS Online Proceedings Library. 2002. V. 763. № 33.
- Paudel N.R., Wieland K.A., Compaan A.D. // J. Materials Science: Materials in Electronics. 2015. № 26. P.78.
- Novikov G.F. // J. Renewable and Sustainable Energy. 2015. V. 7. № 1. P. 011204.
- Khan I.S. PhD Thesis. Tampa: Department of Electrical Engineering College of Engineering University of South Florida, 2018.
- Гапанович М.В., Рабенок Е.В., Голованов Б.И. и др. // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 12. С. 1176.
- Гапанович М.В, Радычев Н.А., Рабенок Е.В. и др. // Неорганические материалы. 2007. Т. 43. № 10. С. 1190.
- Mathew X., Sebastian P.J. // Solar energy materials and solar cells. 1999. V. 59. № 1–2. P. 85.
- Рабенок Е.В., Гапанович М.В., Новиков Г.Ф. и др. // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43. № 7. С. 878.
- Rudolph P. // Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. 1994. V. 29. № 1–4. P. 275.
- Hofmann D.M., Stadler W., Christmann P. et al. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 1996. V. 380. № 1–2. P. 117.
- Rabenok E.V., Galanovich M.V., Novikov G.F. et al. // Semiconductors. 2009. № 43. P. 846.