Email this article Адгезия к монокристаллическому кремнию пленок диазохинонноволачных фоторезистов, облученных электронами
- Authors: Вабищевич С.А.1, Вабищевич Н.В.1, Бринкевич С.Д.2,3, Бринкевич Д.И.2, Просолович В.С.2, Ластовский С.Б.4
-
Affiliations:
- Полоцкий государственный университет им. Евфросинии Полоцкой
- Белорусский государственный университет
- ООО “Мой медицинский центр – высокие технологии”
- ГО “НПЦ НАН Беларуси по материаловедению”
- Issue: Vol 58, No 1 (2024)
- Pages: 60-68
- Section: РАДИАЦИОННАЯ ХИМИЯ
- URL: https://journals.rcsi.science/0023-1193/article/view/258154
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0023119324010068
- EDN: https://elibrary.ru/JZBZOQ
- ID: 258154
Cite item
Open Access
Access granted
Abstract
В работе методом индентирования исследовано влияние облучения электронами с энергией 5 МэВ на адгезионные и прочностные свойства пленок диазохинонноволачных фоторезистов ФП9120, SPR-700 и S1813 G2 SP15, нанесенных на пластины монокристаллического кремния методом центрифугирования. Установлено, что облучение приводит к увеличению значений истинной микротвердости фоторезистивных пленок, наиболее выраженному в пленках SPR-700 и обусловленному сшиванием молекул фенолформальдегидной смолы. Показано, что значения удельной энергии отслаивания G фоторезистивных пленок на кремнии при облучении возрастают в результате рекомбинации радикалов на границе раздела фаз фоторезист/кремний с образованием новых ковалентных связей Si-C и Si-O-C. Наблюдаемые экспериментальные результаты объяснены с учетом радиационно-химических и релаксационных процессов, протекающих в объеме полимерной пленки и на межфазной границе.
Full Text
About the authors
С. А. Вабищевич
Полоцкий государственный университет им. Евфросинии Полоцкой
Email: brinkevich@bsu.by
Belarus, ул. Блохина, 29, Новополоцк, 214400
Н. В. Вабищевич
Полоцкий государственный университет им. Евфросинии Полоцкой
Email: brinkevich@bsu.by
Belarus, ул. Блохина, 29, Новополоцк, 214400
С. Д. Бринкевич
Белорусский государственный университет; ООО “Мой медицинский центр – высокие технологии”
Email: brinkevich@bsu.by
Belarus, пр. Независимости, 4, Минск, 220050; Октябрьский пр., 122, Всеволожск, Ленинградская область, 188640
Д. И. Бринкевич
Белорусский государственный университет
Author for correspondence.
Email: brinkevich@bsu.by
Belarus, пр. Независимости, 4, Минск, 220050
В. С. Просолович
Белорусский государственный университет
Email: brinkevich@bsu.by
Belarus, пр. Независимости, 4, Минск, 220050
С. Б. Ластовский
ГО “НПЦ НАН Беларуси по материаловедению”
Email: brinkevich@bsu.by
Belarus, Минск, ул. П. Бровки, 19, 220072
References
- Моро У. Микролитография. Принципы, методы, материалы. В 2-х ч. Ч. 2. М.: Мир, 1990. 632 с. (Moreau W.M. Semiconductor Lithography. Principles, Practices, and Materials. Plenum Press. New York, London. 1988.)
- Бринкевич Д.И., Бринкевич С.Д., Вабищевич Н.В., Оджаев В.Б., Просолович В.С. // Микроэлектроника. 2014. Т.43. № 3. C. 193–199. (Brinkevich D.I., Brinkevich S.D., Vabishchevich N.V., Odzhaev V.B., Prosolovich V.S. // Russian Microelectronics. 2014. V. 43. № 3. P. 194–200.)
- Вабищевич С.А., Бринкевич С.Д., Бринкевич Д.И., Просолович В.С. // Химия высоких энергий. 2020. T. 54. № 1. С. 54–59. (Vabishchevich S.A., Brinkevich S.D., Brinkevich D.I., Prosolovich V.S. // High Energy Chemistry. 2020. V. 54. № 1. P. 46–50).
- Vabishchevich S.A., Brinkevich S.D., Prosolovich V.S., Vabishchevich N.V., Brinkevich D.I. // Journal of Surface Investigation. X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2020. V. 14. № 6. P. 1352–1357.
- Вабищевич С.А., Бринкевич С.Д., Вабищевич Н.В., Бринкевич Д.И., Просолович В.С. // Химия высоких энергий. 2021. T. 55. № 6. С. 461–468. https://doi.org/10.31857/S0023119321060152
- (Vabishchevich S.A., Brinkevich S.D., Vabishchevich N.V., Brinkevich D.I., Prosolovich V.S. // High Energy Chemistry. 2021. V. 55. № 6. P. 495–501.)
- Malzbender J., den Toonder J.M.J., Balkenende A.R., de With G. // Materials Science and Engineering R. 2002. V. 36. P. 47–103.
- Вабищевич С.А., Вабищевич Н.В., Бринкевич Д.И., Просолович В.С. // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки. Физика. 2020. № 12. C. 60–64.
- Бринкевич Д.И. Вабищевич Н.В., Вабищевич С.А. // Вестник Полоцкого университета. Серия С. Фундаментальные науки. 2010. № 9. C. 92–97.
- Вабищевич С.А., Вабищевич Н.В., Бринкевич Д.И., Бринкевич С.Д., Просолович В.С. // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки. 2016. № 12. C. 51–57.
- Бринкевич С.Д., Бринкевич Д.И., Просолович В.С., Свердлов Р.Л. // Химия высоких энергий. 2021. T. 55. № 1. С. 66–75. (Brinkevich S.D., Brinkevich D.I., Prosolovich V.S., Sverdlov R.L. // High Energy Chemistry. 2021. V. 55. № 1. P. 65–74.)
- Бринкевич Д.И., Бринкевич С.Д., Петлицкий А.Н., Просолович В.С. // Микроэлектроника. 2021. Т. 50. № 4. С. 274–280. (Brinkevich D.I., Brinkevich S.D., Petlitsky A.N., Prosolovich V.S. // Russian Microelectronics, 2021. V. 50. № 4. Р. 239–245.)
- Бринкевич С.Д., Гринюк Е.В., Свердлов Р.Л., Бринкевич Д.И., Просолович В.С., Петлицкий А.Н. // Журнал прикладной спектроскопии. 2020. T. 87. № 4. С. 589–594. (Brinkevich S.D., Grinyuk E.V., Brinkevich D. I., Sverdlov R. L., Prosolovich V.S., Pyatlitski A.N. // Journal of Applied Spectroscopy. 2020. V. 87. № 4. Р. 647–651.)
- Воронкова Г.М., Попов В.Д., Протопопов Г. А. Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41. № 8. С. 977–980.
- Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов Г.М. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М.: Энергоатомиздат, 1988. 256 с.
Supplementary files
