Адгезия к монокристаллическому кремнию пленок диазохинонноволачных фоторезистов, облученных электронами

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

В работе методом индентирования исследовано влияние облучения электронами с энергией 5 МэВ на адгезионные и прочностные свойства пленок диазохинонноволачных фоторезистов ФП9120, SPR-700 и S1813 G2 SP15, нанесенных на пластины монокристаллического кремния методом центрифугирования. Установлено, что облучение приводит к увеличению значений истинной микротвердости фоторезистивных пленок, наиболее выраженному в пленках SPR-700 и обусловленному сшиванием молекул фенолформальдегидной смолы. Показано, что значения удельной энергии отслаивания G фоторезистивных пленок на кремнии при облучении возрастают в результате рекомбинации радикалов на границе раздела фаз фоторезист/кремний с образованием новых ковалентных связей Si-C и Si-O-C. Наблюдаемые экспериментальные результаты объяснены с учетом радиационно-химических и релаксационных процессов, протекающих в объеме полимерной пленки и на межфазной границе.

Толық мәтін

Рұқсат жабық

Авторлар туралы

С. Вабищевич

Полоцкий государственный университет им. Евфросинии Полоцкой

Email: brinkevich@bsu.by
Белоруссия, ул. Блохина, 29, Новополоцк, 214400

Н. Вабищевич

Полоцкий государственный университет им. Евфросинии Полоцкой

Email: brinkevich@bsu.by
Белоруссия, ул. Блохина, 29, Новополоцк, 214400

С. Бринкевич

Белорусский государственный университет; ООО “Мой медицинский центр – высокие технологии”

Email: brinkevich@bsu.by
Белоруссия, пр. Независимости, 4, Минск, 220050; Октябрьский пр., 122, Всеволожск, Ленинградская область, 188640

Д. Бринкевич

Белорусский государственный университет

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: brinkevich@bsu.by
Белоруссия, пр. Независимости, 4, Минск, 220050

В. Просолович

Белорусский государственный университет

Email: brinkevich@bsu.by
Белоруссия, пр. Независимости, 4, Минск, 220050

С. Ластовский

ГО “НПЦ НАН Беларуси по материаловедению”

Email: brinkevich@bsu.by
Белоруссия, Минск, ул. П. Бровки, 19, 220072

Әдебиет тізімі

  1. Моро У. Микролитография. Принципы, методы, материалы. В 2-х ч. Ч. 2. М.: Мир, 1990. 632 с. (Moreau W.M. Semiconductor Lithography. Principles, Practices, and Materials. Plenum Press. New York, London. 1988.)
  2. Бринкевич Д.И., Бринкевич С.Д., Вабищевич Н.В., Оджаев В.Б., Просолович В.С. // Микроэлектроника. 2014. Т.43. № 3. C. 193–199. (Brinkevich D.I., Brinkevich S.D., Vabishchevich N.V., Odzhaev V.B., Prosolovich V.S. // Russian Microelectronics. 2014. V. 43. № 3. P. 194–200.)
  3. Вабищевич С.А., Бринкевич С.Д., Бринкевич Д.И., Просолович В.С. // Химия высоких энергий. 2020. T. 54. № 1. С. 54–59. (Vabishchevich S.A., Brinkevich S.D., Brinkevich D.I., Prosolovich V.S. // High Energy Chemistry. 2020. V. 54. № 1. P. 46–50).
  4. Vabishchevich S.A., Brinkevich S.D., Prosolovich V.S., Vabishchevich N.V., Brinkevich D.I. // Journal of Surface Investigation. X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2020. V. 14. № 6. P. 1352–1357.
  5. Вабищевич С.А., Бринкевич С.Д., Вабищевич Н.В., Бринкевич Д.И., Просолович В.С. // Химия высоких энергий. 2021. T. 55. № 6. С. 461–468. https://doi.org/10.31857/S0023119321060152
  6. (Vabishchevich S.A., Brinkevich S.D., Vabishchevich N.V., Brinkevich D.I., Prosolovich V.S. // High Energy Chemistry. 2021. V. 55. № 6. P. 495–501.)
  7. Malzbender J., den Toonder J.M.J., Balkenende A.R., de With G. // Materials Science and Engineering R. 2002. V. 36. P. 47–103.
  8. Вабищевич С.А., Вабищевич Н.В., Бринкевич Д.И., Просолович В.С. // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки. Физика. 2020. № 12. C. 60–64.
  9. Бринкевич Д.И. Вабищевич Н.В., Вабищевич С.А. // Вестник Полоцкого университета. Серия С. Фундаментальные науки. 2010. № 9. C. 92–97.
  10. Вабищевич С.А., Вабищевич Н.В., Бринкевич Д.И., Бринкевич С.Д., Просолович В.С. // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки. 2016. № 12. C. 51–57.
  11. Бринкевич С.Д., Бринкевич Д.И., Просолович В.С., Свердлов Р.Л. // Химия высоких энергий. 2021. T. 55. № 1. С. 66–75. (Brinkevich S.D., Brinkevich D.I., Prosolovich V.S., Sverdlov R.L. // High Energy Chemistry. 2021. V. 55. № 1. P. 65–74.)
  12. Бринкевич Д.И., Бринкевич С.Д., Петлицкий А.Н., Просолович В.С. // Микроэлектроника. 2021. Т. 50. № 4. С. 274–280. (Brinkevich D.I., Brinkevich S.D., Petlitsky A.N., Prosolovich V.S. // Russian Microelectronics, 2021. V. 50. № 4. Р. 239–245.)
  13. Бринкевич С.Д., Гринюк Е.В., Свердлов Р.Л., Бринкевич Д.И., Просолович В.С., Петлицкий А.Н. // Журнал прикладной спектроскопии. 2020. T. 87. № 4. С. 589–594. (Brinkevich S.D., Grinyuk E.V., Brinkevich D. I., Sverdlov R. L., Prosolovich V.S., Pyatlitski A.N. // Journal of Applied Spectroscopy. 2020. V. 87. № 4. Р. 647–651.)
  14. Воронкова Г.М., Попов В.Д., Протопопов Г. А. Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41. № 8. С. 977–980.
  15. Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов Г.М. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М.: Энергоатомиздат, 1988. 256 с.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу
2. Fig. 1. Dependences of the specific peeling energy G on the load value for 1.8 μm thick films of photoresist FP9120 initial (1) and irradiated with electrons fluence 3 × 1016 см2 (2).

Жүктеу (109KB)
Метадеректер
3. Fig. 2. Dependences of specific peeling energy G on the load value for 1.2 μm thick SPR700 photoresist films (1) and irradiated with electrons fluence 3 × 1016 см2 (2).

Жүктеу (108KB)
Метадеректер
4. Fig. 3. Dependences of specific peeling energy G on the load value for 1.8 μm thick films of photoresist FP9120 freshly prepared (1) and after storage for 3 years (2).

Жүктеу (97KB)
Метадеректер
5. Scheme 2-3

Жүктеу (173KB)
Метадеректер
6. Scheme 4-6

Жүктеу (458KB)
Метадеректер
7. Scheme 7-8

Жүктеу (386KB)
Метадеректер
8. Scheme 9-10

Жүктеу (372KB)
Метадеректер

© Russian Academy of Sciences, 2024

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».