Circular photogalvanic effect caused by the transitions between edge and 2D states in a 2D topological insulator


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The electron absorption and the edge photocurrent of a 2D topological insulator are studied for transitions between edge states to 2D states. The circular polarized light is found to produce the edge photocurrent, the direction of which is determined by light polarization and edge orientation. It is shown that the edge-state current is found to exceed the 2D current owing to the topological protection of the edge states.

Авторлар туралы

L. Magarill

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch; Novosibirsk State University

Email: entin@isp.nsc.ru
Ресей, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090

M. Entin

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch; Novosibirsk State University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: entin@isp.nsc.ru
Ресей, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Inc., 2016