Comparative Study of GaAs/GaInP and GaAs/AlGaAs Quantum Wells Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

M. A. Ladugin; A. Yu. Andreev; I. V. Yarotskaya; Yu. L. Ryaboshtan; T. A. Bagaev; A. A. Padalitsa; A. A. Marmalyuk; M. G. Vasil’ev

doi:10.1134/S0020168519040095

Comparative Study of GaAs/GaInP and GaAs/AlGaAs Quantum Wells Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

Авторы: Ladugin M.A.¹, Andreev A.Y.¹, Yarotskaya I.V.¹, Ryaboshtan Y.L.¹, Bagaev T.A.¹, Padalitsa A.A.¹, Marmalyuk A.A.¹^,2, Vasil’ev M.G.³
Учреждения:
1. Sigm Plus Co.
2. National Nuclear Research University MEPhI (Moscow Engineering Physics Institute)
3. Kurnakov Institute of General and Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences
Выпуск: Том 55, № 4 (2019)
Страницы: 315-319
Раздел: Article
URL: https://journals.rcsi.science/0020-1685/article/view/158666
DOI: https://doi.org/10.1134/S0020168519040095
ID: 158666

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

This paper presents results of a comparative experimental study aimed at producing GaAs/GaInP and GaAs/AlGaAs quantum wells (QWs) by metalorganic vapor phase epitaxy. The photoluminescence signal of the GaAs/GaInP QWs is shown to have a higher intensity (by a factor of 50–100) and, at the same time, a larger width (by a factor of ~2.5) in comparison with the GaAs/AlGaAs QWs. We analyze different approaches to controlling emission spectra of these QWs.

Ключевые слова

photoluminescence, quantum wells, emission spectra

Об авторах

M. Ladugin

Sigm Plus Co.

Автор, ответственный за переписку.
Email: M.Ladugin@siplus.ru
Россия, ul. Vvedenskogo 3, Moscow, 117342