Comparative Study of GaAs/GaInP and GaAs/AlGaAs Quantum Wells Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

M. A. Ladugin; A. Yu. Andreev; I. V. Yarotskaya; Yu. L. Ryaboshtan; T. A. Bagaev; A. A. Padalitsa; A. A. Marmalyuk; M. G. Vasil’ev

doi:10.1134/S0020168519040095

Comparative Study of GaAs/GaInP and GaAs/AlGaAs Quantum Wells Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

Авторлар: Ladugin M.A.¹, Andreev A.Y.¹, Yarotskaya I.V.¹, Ryaboshtan Y.L.¹, Bagaev T.A.¹, Padalitsa A.A.¹, Marmalyuk A.A.¹^,2, Vasil’ev M.G.³
Мекемелер:
1. Sigm Plus Co.
2. National Nuclear Research University MEPhI (Moscow Engineering Physics Institute)
3. Kurnakov Institute of General and Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences
Шығарылым: Том 55, № 4 (2019)
Беттер: 315-319
Бөлім: Article
URL: https://journals.rcsi.science/0020-1685/article/view/158666
DOI: https://doi.org/10.1134/S0020168519040095
ID: 158666

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

This paper presents results of a comparative experimental study aimed at producing GaAs/GaInP and GaAs/AlGaAs quantum wells (QWs) by metalorganic vapor phase epitaxy. The photoluminescence signal of the GaAs/GaInP QWs is shown to have a higher intensity (by a factor of 50–100) and, at the same time, a larger width (by a factor of ~2.5) in comparison with the GaAs/AlGaAs QWs. We analyze different approaches to controlling emission spectra of these QWs.

Негізгі сөздер

photoluminescence, quantum wells, emission spectra

Авторлар туралы

M. Ladugin

Sigm Plus Co.

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: M.Ladugin@siplus.ru
Ресей, ul. Vvedenskogo 3, Moscow, 117342