A model for calculating the composition of GaAs  x  P 1– x   solid solutions under metalorganic vapor phase epitaxy conditions

A. D. Maksimov; V. Yu. Eistrikh-Geller; A. A. Marmalyuk; M. A. Ladugin; T. A. Bagaev; P. V. Gorlachuk; I. V. Yarotskaya

doi:10.1134/S0020168517040124

A model for calculating the composition of GaAs_xP_1–x solid solutions under metalorganic vapor phase epitaxy conditions

Авторы: Maksimov A.D.¹, Eistrikh-Geller V.Y.¹, Marmalyuk A.A.², Ladugin M.A.², Bagaev T.A.², Gorlachuk P.V.², Yarotskaya I.V.²
Учреждения:
1. Institute of Fine Chemical Technologies
2. AO Stel’makh Polyus Research Institute
Выпуск: Том 53, № 4 (2017)
Страницы: 369-375
Раздел: Article
URL: https://journals.rcsi.science/0020-1685/article/view/158198
DOI: https://doi.org/10.1134/S0020168517040124
ID: 158198

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

A model is proposed for calculating the composition of GaAs_xP_1–x solid solutions, based on the iterative determination of the equilibrium partial pressures of the pyrolysis products of the starting reagents, followed by calculation of the composition of the solid solution in an adsorption–desorption model. The proposed model ensures good agreement between calculation results and experimental data.