Fabrication of ZnSe/InP Heterojunctions on Flat and Shaped Surfaces of InP Laser Crystals

M. G. Vasil’ev; A. M. Vasil’ev; A. D. Izotov; S. F. Marenkin; O. N. Pashkova; A. A. Shelyakin

doi:10.1134/S0020168519090188

Fabrication of ZnSe/InP Heterojunctions on Flat and Shaped Surfaces of InP Laser Crystals

Авторлар: Vasil’ev M.G.¹, Vasil’ev A.M.¹, Izotov A.D.¹, Marenkin S.F.¹, Pashkova O.N.¹, Shelyakin A.A.¹
Мекемелер:
1. Kurnakov Institute of General and Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences
Шығарылым: Том 55, № 9 (2019)
Беттер: 903-907
Бөлім: Article
URL: https://journals.rcsi.science/0020-1685/article/view/158759
DOI: https://doi.org/10.1134/S0020168519090188
ID: 158759

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

We have studied the growth of zinc selenide layers on flat and shaped indium phosphide surfaces. The growth rate of zinc selenide has been shown to depend on substrate orientation. It has been shown that the present results can be useful in designing mesa stripe structures for quantum electronic instruments. We have fabricated mesa stripe laser diodes operating on the absorption band of methane and suitable for producing fiber-optic signal transmission systems.