Temperature Dependence of Electrical Resistance of Graphene Oxide


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The temperature dependence of the electrical resistance of graphene oxide upon continuous heating and cooling under argon in the temperature range of 300–550 K and the Raman scattering spectra are studied. In the range 300–370 K, the resistance is constant during the cooling process and is thermostable under subsequent heating. The temperature dependence of the resistance in the 370–550 K range varies according to the activation law. The decrease in resistance with increasing temperature is associated with the removal of functional oxygen-containing groups, which is confirmed by the Raman spectra.

Об авторах

A. Babaev

Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences

Автор, ответственный за переписку.
Email: babaev-arif@mail.ru
Россия, Makhachkala, Dagestan, 367003

M. Zobov

Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences

Email: babaev-arif@mail.ru
Россия, Makhachkala, Dagestan, 367003

D. Kornilov

AkKoLab

Email: babaev-arif@mail.ru
Россия, Moscow, 129110

S. Tkachev

AkKoLab

Email: babaev-arif@mail.ru
Россия, Moscow, 129110

E. Terukov

Ioffe Institute

Email: babaev-arif@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

V. Levitskii

Scientific Center for Thin-Film Technologies in Energy

Email: babaev-arif@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Inc., 2019

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).