Мақаланы E-mail арқылы жіберу Emittance Properties of Siliconized Silicon Carbide in the Temperature Range of 1400–2200 K
- Авторлар: Kostanovskiy A.V.1, Zeodinov M.G.1, Kostanovskaya M.E.1, Pronkin A.A.1
-
Мекемелер:
- Joint Institute for High Temperatures, Russian Academy of Sciences
- Шығарылым: Том 57, № 2 (2019)
- Беттер: 272-274
- Бөлім: Short Communications
- URL: https://journals.rcsi.science/0018-151X/article/view/157969
- DOI: https://doi.org/10.1134/S0018151X19020093
- ID: 157969
Дәйексөз келтіру
Ашық рұқсат
Рұқсат берілді
Тек жазылушылар үшін
Авторлар туралы
A. Kostanovskiy
Joint Institute for High Temperatures, Russian Academy of Sciences
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: kostanovskiy@gmail.com
Ресей, Moscow, 125412
M. Zeodinov
Joint Institute for High Temperatures, Russian Academy of Sciences
Email: kostanovskiy@gmail.com
Ресей, Moscow, 125412
M. Kostanovskaya
Joint Institute for High Temperatures, Russian Academy of Sciences
Email: kostanovskiy@gmail.com
Ресей, Moscow, 125412
A. Pronkin
Joint Institute for High Temperatures, Russian Academy of Sciences
Email: kostanovskiy@gmail.com
Ресей, Moscow, 125412
Қосымша файлдар
