Отправить статью по E-mail Emittance Properties of Siliconized Silicon Carbide in the Temperature Range of 1400–2200 K
- Авторы: Kostanovskiy A.V.1, Zeodinov M.G.1, Kostanovskaya M.E.1, Pronkin A.A.1
-
Учреждения:
- Joint Institute for High Temperatures, Russian Academy of Sciences
- Выпуск: Том 57, № 2 (2019)
- Страницы: 272-274
- Раздел: Short Communications
- URL: https://journals.rcsi.science/0018-151X/article/view/157969
- DOI: https://doi.org/10.1134/S0018151X19020093
- ID: 157969
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Об авторах
A. Kostanovskiy
Joint Institute for High Temperatures, Russian Academy of Sciences
Автор, ответственный за переписку.
Email: kostanovskiy@gmail.com
Россия, Moscow, 125412
M. Zeodinov
Joint Institute for High Temperatures, Russian Academy of Sciences
Email: kostanovskiy@gmail.com
Россия, Moscow, 125412
M. Kostanovskaya
Joint Institute for High Temperatures, Russian Academy of Sciences
Email: kostanovskiy@gmail.com
Россия, Moscow, 125412
A. Pronkin
Joint Institute for High Temperatures, Russian Academy of Sciences
Email: kostanovskiy@gmail.com
Россия, Moscow, 125412
Дополнительные файлы
