Special aspects of the photoluminescence of thermally annealed porous silicon layers


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Resumo

The effect of thermal annealing of porous silicon layers in various media with subsequent exposure to air on the photoluminescence spectra of the layers was described.

Sobre autores

E. Abramova

Institute of Fine Chemical Technologies

Email: anavenko@yandex.ru
Rússia, Moscow, 119571

A. Khort

Institute of Fine Chemical Technologies

Email: anavenko@yandex.ru
Rússia, Moscow, 119571

A. Yakovenko

Institute of Fine Chemical Technologies

Autor responsável pela correspondência
Email: anavenko@yandex.ru
Rússia, Moscow, 119571

T. Sorokin

Institute of Fine Chemical Technologies

Email: anavenko@yandex.ru
Rússia, Moscow, 119571

V. Shvets

Institute of Fine Chemical Technologies

Email: anavenko@yandex.ru
Rússia, Moscow, 119571

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