Мақаланы E-mail арқылы жіберу Pore nucleation and growth in n-type Si during its electrochemical etching
- Авторлар: Abramova E.N.1, Khort A.M.1, Yakovenko A.G.1, Prokhorov D.I.1, Shvets V.I.1
-
Мекемелер:
- Institute of Fine Chemical Technologies
- Шығарылым: Том 473, № 2 (2017)
- Беттер: 67-69
- Бөлім: Chemistry
- URL: https://journals.rcsi.science/0012-5008/article/view/153935
- DOI: https://doi.org/10.1134/S0012500817040012
- ID: 153935
Дәйексөз келтіру
Ашық рұқсат
Рұқсат берілді
Тек жазылушылар үшін
Аннотация
A mechanism is suggested for pore formation in n-type Si through the stage of nucleation in the most probable places.
Авторлар туралы
E. Abramova
Institute of Fine Chemical Technologies
Email: anavenko@yandex.ru
Ресей, Moscow, 119571
A. Khort
Institute of Fine Chemical Technologies
Email: anavenko@yandex.ru
Ресей, Moscow, 119571
A. Yakovenko
Institute of Fine Chemical Technologies
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: anavenko@yandex.ru
Ресей, Moscow, 119571
D. Prokhorov
Institute of Fine Chemical Technologies
Email: anavenko@yandex.ru
Ресей, Moscow, 119571
V. Shvets
Institute of Fine Chemical Technologies
Email: anavenko@yandex.ru
Ресей, Moscow, 119571
Қосымша файлдар
