Fractal Control of the Electron Spectrum of the Interfaces in Solar Elements Based on Covalent Semiconductors


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Based on a combination of the Madelung-Seitz and Phillips-Penn approaches, the effect of fractality of the interface on its electronic structure in a covalent semiconductor solar cell is considered. The possibility of pumping a local level from the region of recombination to the region of attachment and back is found. A number of applications are considered, in particular, a new mechanism of radiative degradation by lowering the fractality of the interface.

Авторлар туралы

Kh. Ashurov

Arifov Institute of Ion-Plasma and Laser Technologies

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: bek.fiz.1986@mail.ru
Өзбекстан, Tashkent, 100125

B. Kutlimurotov

Arifov Institute of Ion-Plasma and Laser Technologies

Email: bek.fiz.1986@mail.ru
Өзбекстан, Tashkent, 100125

B. Oksengendler

Arifov Institute of Ion-Plasma and Laser Technologies

Email: bek.fiz.1986@mail.ru
Өзбекстан, Tashkent, 100125

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Allerton Press, Inc., 2018