СОЗДАНИЕ НОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ СТРУКТУР ДАТЧИКОВ ИНФОРМАЦИОННО-ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ НА ОСНОВЕ ТЕХНОЛОГИЙ МИКРООБРАБОТКИ КРЕМНИЯ
- Авторы: Филатова А.А.1, Пауткин В.Е.1, Тразанов Д.В.1
-
Учреждения:
- Научно-исследовательский институт физических измерений
- Выпуск: № 3 (2025)
- Страницы: 46-51
- Раздел: ПРОЕКТИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ ПРИБОРОСТРОЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ
- URL: https://journals.rcsi.science/2307-5538/article/view/318763
- DOI: https://doi.org/10.21685/2307-5538-2025-3-6
- ID: 318763
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Актуальность и цели. Описаны основные защитные маскирующие слои, применяемые при формировании датчиков информационно-измерительных систем методами анизотропного травления кремния. К числу таких слоев относятся пленки диоксида и нитрида кремния, наносимые на поверхность кремниевых пластин перед технологическими операциями анизотропного травления. Материалы и методы. Показано, что при использовании комбинированных масок, состоящих как минимум из двух защитных слоев, возможно формирование кремниевых структур, имеющих сложный профиль травления. Это повышает технологичность изготовления чувствительных элементов микромеханических датчиков, так как формирование топологии маски на поверхности кремниевых пластин приводит к повышению качества изготовления и позволяет создавать новые структуры чувствительных элементов датчиков. Результаты и выводы. Данные технические решения позволяют создавать новые элементы структур датчиков ИИС, а также повысить технологичность их изготовления.
Об авторах
Анна Антоновна Филатова
Научно-исследовательский институт физических измерений
Автор, ответственный за переписку.
Email: nsmvaa@gmail.com
инженер-конструктор
(Россия, г. Пенза, ул. Володарского, 8/10)Валерий Евгеньевич Пауткин
Научно-исследовательский институт физических измерений
Email: pautkin_ve@niifi.ru
кандидат технических наук, начальник отдела
(Россия, г. Пенза, ул. Володарского, 8/10)Дмитрий Владиславович Тразанов
Научно-исследовательский институт физических измерений
Email: dtrazanov00@mail.ru
инженер-конструктор
(Россия, г. Пенза, ул. Володарского, 8/10)Список литературы
- Люцко К. С., Гайкевич Д. Н. МЭМС-датчики давления // Приборостроение – 2023 : сб. докл. 16-й Междунар. науч.-техн. конф. Минск, 2023. С. 408–409.
- Лысенко И. Е., Ежова О. А. Исследование влияния параметров элементов подвесов на собственную частоту конструкции микромеханического сенсора линейных ускорений // Нано- и микросистемная техника. 2016. Т. 18, № 6. С. 386–388.
- Пауткин В. Е., Прилуцкая С. В. Геометрическое стоп-травление в технологии микроэлектромехани- ческих систем // Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль. 2017. № 4. С. 50–54.
- Готра З. Ю. Технология микроэлектронных устройств : справочник. М. : Радио и связь, 1991. 528 с.
- Monk D. J., Soane D. S., Howe R. T. Enhanced Removal of Sacrificial Layers for Silicon Surface Micromachining // Technical Digest : the 7th Int. Conf. on Solid-State Sensors and Actuators. Yokohama, Japan, 1993. P. 280–283.
- French P. J., Sarro P. M., Mallee R. [et al.]. Optimization of a Low-Stress Silicon Nitride Process for Surface Micromachining Applications // Sensors and Actuators. 1997. № A 58. P. 149–157.
- Веселов Д. С., Воронов Ю. А. Особенности применения жидкостного травления кремния в технологии изготовления МЭМС-структур // Датчики и системы. 2016. № 4. С. 26–28.
- Li Y. X., French P. J., Wolffenbuttel R. F. Selective reactive ion etching of silicon nitride over silicon using CHF3 with N2 addition // Vacuum Science and Technology. 1995. № B 13. Р. 2008–2012.
- Абдуллаев Д. А., Зайцев А. А., Кельм Е. А. Селективное плазмохимическое травление нитрида кремния относительно оксида кремния // Нано- и микросистемная техника. 2014. № 2. С. 17–19.
- Байдакова Н. А., Вербус В. А., Морозова Е. Е. [и др.]. Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов // Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51, вып. 12. С. 1599–1604.
- Королев М. А., Крупкина Т. Ю., Ревелева М. А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем : в 2 ч. / под общ. ред. Ю. А. Чаплыгина. М. : БИНОМ. Лабо- ратория знаний, 2007. Ч. 1. Технологические процессы изготовления кремниевых интегральных схем и их моделирование. 397 с.
- Legtenberg R., Jansen H., de Boer M., Elwenspoek M. Anisotropic Reactive Ion Etching of Silicon Using SF6/O2/CHF3 Gas Mixtures // Electrochemical Society. 1995. Vol. 142, № 6. Р. 2020–2028.
- Соколов Л. В., Жуков А. А., Парфенов Н. М., Ануров А. Е. Анализ современных технологий объемного микропрофилирования кремния для производства чувствительных элементов датчиков и МЭМС // Нано- и микросистемная техника. 2014. № 10. С. 27–35.
- Соколов Л. В., Парфенов Н. М. Технологические особенности формирования трехмерных МЭМС // Нано- и микросистемная техника. 2011. № 11. С. 19–26.
Дополнительные файлы
