СОЗДАНИЕ НОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ СТРУКТУР ДАТЧИКОВ ИНФОРМАЦИОННО-ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ НА ОСНОВЕ ТЕХНОЛОГИЙ МИКРООБРАБОТКИ КРЕМНИЯ

Обложка

Цитировать

Полный текст

Аннотация

Актуальность и цели. Описаны основные защитные маскирующие слои, применяемые при формировании датчиков информационно-измерительных систем методами анизотропного травления кремния. К числу таких слоев относятся пленки диоксида и нитрида кремния, наносимые на поверхность кремниевых пластин перед технологическими операциями анизотропного травления. Материалы и методы. Показано, что при использовании комбинированных масок, состоящих как минимум из двух защитных слоев, возможно формирование кремниевых структур, имеющих сложный профиль травления. Это повышает технологичность изготовления чувствительных элементов микромеханических датчиков, так как формирование топологии маски на поверхности кремниевых пластин приводит к повышению качества изготовления и позволяет создавать новые структуры чувствительных элементов датчиков. Результаты и выводы. Данные технические решения позволяют создавать новые элементы структур датчиков ИИС, а также повысить технологичность их изготовления.

Об авторах

Анна Антоновна Филатова

Научно-исследовательский институт физических измерений

Автор, ответственный за переписку.
Email: nsmvaa@gmail.com

инженер-конструктор

(Россия, г. Пенза, ул. Володарского, 8/10)

Валерий Евгеньевич Пауткин

Научно-исследовательский институт физических измерений

Email: pautkin_ve@niifi.ru

кандидат технических наук, начальник отдела

(Россия, г. Пенза, ул. Володарского, 8/10)

Дмитрий Владиславович Тразанов

Научно-исследовательский институт физических измерений

Email: dtrazanov00@mail.ru

инженер-конструктор

(Россия, г. Пенза, ул. Володарского, 8/10)

Список литературы

  1. Люцко К. С., Гайкевич Д. Н. МЭМС-датчики давления // Приборостроение – 2023 : сб. докл. 16-й Междунар. науч.-техн. конф. Минск, 2023. С. 408–409.
  2. Лысенко И. Е., Ежова О. А. Исследование влияния параметров элементов подвесов на собственную частоту конструкции микромеханического сенсора линейных ускорений // Нано- и микросистемная техника. 2016. Т. 18, № 6. С. 386–388.
  3. Пауткин В. Е., Прилуцкая С. В. Геометрическое стоп-травление в технологии микроэлектромехани- ческих систем // Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль. 2017. № 4. С. 50–54.
  4. Готра З. Ю. Технология микроэлектронных устройств : справочник. М. : Радио и связь, 1991. 528 с.
  5. Monk D. J., Soane D. S., Howe R. T. Enhanced Removal of Sacrificial Layers for Silicon Surface Micromachining // Technical Digest : the 7th Int. Conf. on Solid-State Sensors and Actuators. Yokohama, Japan, 1993. P. 280–283.
  6. French P. J., Sarro P. M., Mallee R. [et al.]. Optimization of a Low-Stress Silicon Nitride Process for Surface Micromachining Applications // Sensors and Actuators. 1997. № A 58. P. 149–157.
  7. Веселов Д. С., Воронов Ю. А. Особенности применения жидкостного травления кремния в технологии изготовления МЭМС-структур // Датчики и системы. 2016. № 4. С. 26–28.
  8. Li Y. X., French P. J., Wolffenbuttel R. F. Selective reactive ion etching of silicon nitride over silicon using CHF3 with N2 addition // Vacuum Science and Technology. 1995. № B 13. Р. 2008–2012.
  9. Абдуллаев Д. А., Зайцев А. А., Кельм Е. А. Селективное плазмохимическое травление нитрида кремния относительно оксида кремния // Нано- и микросистемная техника. 2014. № 2. С. 17–19.
  10. Байдакова Н. А., Вербус В. А., Морозова Е. Е. [и др.]. Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов // Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51, вып. 12. С. 1599–1604.
  11. Королев М. А., Крупкина Т. Ю., Ревелева М. А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем : в 2 ч. / под общ. ред. Ю. А. Чаплыгина. М. : БИНОМ. Лабо- ратория знаний, 2007. Ч. 1. Технологические процессы изготовления кремниевых интегральных схем и их моделирование. 397 с.
  12. Legtenberg R., Jansen H., de Boer M., Elwenspoek M. Anisotropic Reactive Ion Etching of Silicon Using SF6/O2/CHF3 Gas Mixtures // Electrochemical Society. 1995. Vol. 142, № 6. Р. 2020–2028.
  13. Соколов Л. В., Жуков А. А., Парфенов Н. М., Ануров А. Е. Анализ современных технологий объемного микропрофилирования кремния для производства чувствительных элементов датчиков и МЭМС // Нано- и микросистемная техника. 2014. № 10. С. 27–35.
  14. Соколов Л. В., Парфенов Н. М. Технологические особенности формирования трехмерных МЭМС // Нано- и микросистемная техника. 2011. № 11. С. 19–26.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать


Creative Commons License
Эта статья доступна по лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».