SYNTHESIS OF PASSIVATING STRUCTURES OF MULTILAYER THIN-FILM RESISTORS

Cover Page

Cite item

Full Text

Abstract

Background. The relevance of this study is related to the development of radioelectronic equipment, which requires improvement of the electrical parameters of electronic components, including time and temperature stability. Materials and methods. The processes occurring in the structure of thin films leading to a change in the resistance of a thinfilmand the parameters determining the materials of thin films and their sequence are presented. Conclusions. The developed technology makes it possible to achieve values of TCR of thin-film resistors in the range ± 3 1/ °C. resistor over time are investigated. Results. The technology of synthesis of thin-film resistors with a protective coating.

About the authors

Vitaly S. Mamontov

Penza State University

Author for correspondence.
Email: kipra@pnzgu.ru

Associate professor of the sub-department of radio equipment design and production

(40 Krasnaya street, Penza, Russia)

Sergey A. Gurin

Scientific Research Institute of Electronic and Mechanical Devices

Email: teslananoel@rambler.ru

Candidate of technical sciences, head of the laboratory

(44 Karakozova street, Penza, Russia)

Maksim D. Novichkov

Penza State University; Scientific Research Institute of Electronic and Mechanical Devices

Email: novichkov1998maks@gmail.com

Postgraduate student; process engineer

(40 Krasnaya street, Penza, Russia); (44 Karakozova street, Penza, Russia)

Dmitry V. Agafonov

Penza State University; Scientific Research Institute of Electronic and Mechanical Devices

Email: dmitryagafonov@list.ru

Master degree student; design engineer

(40 Krasnaya street, Penza, Russia); (44 Karakozova street, Penza, Russia)

Kamila L. Zakirova

Penza State University

Email: Zakirovacamila@yandex.ru

Master degree student

(40 Krasnaya street, Penza, Russia)

References

  1. Luchinin V.V., Mal'tsev P.P. Nanotechnology in a new technological order. Nano- i mikrosistemnaya tekhnika = Nano- and microsystem engineering. 2021;23(1):3–5. (In Russ.)
  2. Volkov V.S., Barinov I.N. Compensation of temperature error sensitivity of high-temperature semiconductor pressure sensors. Izmerenie. Monitoring. Upravlenie. Kontrol’ = Measurement. Monitoring. Management. Control. 2013;(1):30–36. (In Russ.)
  3. Lugin A.N. Konstruktorsko-tekhnologicheskie osnovy proektirovaniya tonkoplenochnykh pretsizionnykh rezistorov: monografiya = Design and technological principles of designing thin-film precision resistors : monograph. Penza: Inf.-izd. tsentr PGU, 2009:287. (In Russ.)
  4. Astashenkova O.N., Korlyakov A.V. Control of physico-mechanical parameters of thin films. Nanoi mikrosistemnaya tekhnika = Nano- and microsystem engineering. 2013;(2):24–29. (In Russ.)
  5. Sergeev V.E., Vorotyntsev V.M. Development of a modified technology for thermal stabilization of thinfilm resistive elements. Proektirovanie i tekhnologiya elektronnykh sredstv = Design and technology of electronic devices. 2021;(1):4–9. (In Russ.)
  6. Chen C., Zhu J., Chen Y., Wang G. Unveiling structural characteristics for ultralow resistance drift in BiSb- Ge2Sb2Te5 materials for phase-change neuron synaptic devices. Journal of Alloys and Compounds. 2022;892:162148.
  7. Pecherskaya E.A., Gurin S.A., Novichkov M.D. Combined Thin-Film Resistive and Strain-Resistant Structures with Temperature Self-Compensation. Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2022;16(6):1074–1080. doi: 10.1134/s1027451022060209
  8. Sergeev V.E., Vorotyntsev V.M. Development of a modified technology for thermal stabilization of thinfilm resistive elements. Proektirovanie i tekhnologiya elektronnykh sredstv = Design and technology of electronic devices. 2021;(1):4–9. (In Russ.)
  9. Averin I.A., Pecherskaya R.M. Control of the parameters of resistive structures by annealing. Trudy Mezhdunarodnogo simpoziuma Nadezhnost' i kachestvo = Proceedings of the International Symposium Reliability and Quality. 2008;2:144–145. (In Russ.)
  10. Pecherskaya E.A., Gurin S.A., Novichkov M.D. High-temperature annealing of multilayer resistive structures. Izmerenie. Monitoring. Upravlenie. Kontrol’ = Measurement. Monitoring. Management. Control. 2023;(1):56–61. (In Russ.). doi: 10.21685/2307-5538-2023-1-7
  11. Gurin S.A. Research and development of thin-film heterogeneous structures of sensitive elements of pressure sensors with extreme operating conditions. PhD dissertation. Saint Petersburg, 2016:157. (In Russ.)

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML


Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».