ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СТРУКТУР МНОГОСЛОЙНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ

Обложка

Цитировать

Полный текст

Аннотация

Актуальность и цели. Актуальность данного исследования связана с развитием радиоэлектронной аппаратуры, которая требует улучшения электрических параметров электронных компонентов, в том числе временной и температурной стабильности. Материалы и методы. Исследованы процессы, протекающие в структуре тонких пленок, приводящие к изменению сопротивления тонкопленочного резистора с течением времени. Результаты. Представлена технология синтеза тонкопленочных резисторов с защитным покрытием и параметры, определяющие материалы тонких пленок и их последовательность. Выводы. Разработанная технология позволяет до- биться значений ТКС тонкопленочных резисторов в диапазоне ±3 1/°C.

Об авторах

Виталий Сергеевич Мамонтов

Пензенский государственный университет

Автор, ответственный за переписку.
Email: kipra@pnzgu.ru

доцент кафедры конструирования и производства радиоаппаратуры

(Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40)

Сергей Александрович Гурин

Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов

Email: teslananoel@rambler.ru

кандидат технических наук, начальник лаборатории,

(Россия, г. Пенза, ул. Каракозова, 44)

Максим Дмитриевич Новичков

Пензенский государственный университет; Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов

Email: novichkov1998maks@gmail.com

аспирант; инженер-технолог

(Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40); (Россия, г. Пенза, ул. Каракозова, 44)

Дмитрий Вячеславович Агафонов

Пензенский государственный университет; Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов

Email: dmitryagafonov@list.ru

магистрант; инженер-конструктор

(Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40); (Россия, г. Пенза, ул. Каракозова, 44)

Камила Ленаровна Закирова

Пензенский государственный университет

Email: Zakirovacamila@yandex.ru

магистрант

(Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40)

Список литературы

  1. Лучинин В. В., Мальцев П. П. Нанотехнологии в новом технологическом укладе // Нано- и микро- системная техника. 2021. Т. 23, № 1. С. 3–5.
  2. Волков В. С., Баринов И. Н. Компенсация температурной погрешности чувствительности высоко- температурных полупроводниковых датчиков давления // Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль. 2013. № 1. С. 30–36.
  3. Лугин А. Н. Конструкторско-технологические основы проектирования тонкопленочных прецизионных резисторов : монография. Пенза : Инф.-изд. центр ПГУ, 2009. 287 с.
  4. Асташенкова О. Н., Корляков А. В. Контроль физико-механических параметров тонких пленок // Нано- и микросистемная техника. 2013. № 2. С. 24–29.
  5. Сергеев В. Е., Воротынцев В. М. Разработка модифицированной технологии термостабилизации тонкопленочных резистивных элементов // Проектирование и технология электронных средств. 2021. № 1. С. 4–9.
  6. Chen C., Zhu J., Chen Y., Wang G. Unveiling structural characteristics for ultralow resistance drift in BiSb- Ge2Sb2Te5 materials for phase-change neuron synaptic devices // Journal of Alloys and Compounds. 2022. Vol. 892. P. 162148.
  7. Pecherskaya E. A., Gurin S. A., Novichkov M. D. Combined Thin-Film Resistive and Strain-Resistant Structures with Temperature Self-Compensation // Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2022. Vol. 16, № 6. P. 1074–1080. doi: 10.1134/s1027451022060209
  8. Сергеев В. Е., Воротынцев В. М. Разработка модифицированной технологии термостабилизации тонкопленочных резистивных элементов // Проектирование и технология электронных средств. 2021. № 1. С. 4–9.
  9. Аверин И. А., Печерская Р. М. Управление параметрами резистивных структур посредством отжига // Труды Международного симпозиума Надежность и качество. 2008. Т. 2. С. 144–145.
  10. Печерская Е. А., Гурин С. А., Новичков М. Д. Высокотемпературный отжиг многослойных резистивных структур // Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль. 2023. № 1. С. 56–61. doi: 10.21685/2307-5538-2023-1-7
  11. Гурин С. А. Исследование и разработка тонкопленочных гетерогенных структур чувствительных элементов датчиков давлений с экстремальными условиями эксплуатации : дис. … канд. техн. наук. СПб., 2016. 157 с.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML


Creative Commons License
Эта статья доступна по лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).