Электромиграция в твердотельных интегральных структурах со сквозными отверстиями

Обложка
  • Авторы: Черкесова Н.В.1, Мустафаев Г.А.2, Мустафаев А.Г.3, Здравомыслов Д.М.4
  • Учреждения:
    1. Кабардино-Балкарского государственного университета им. Х.М. Бербекова.
    2. Кабардино-Балкарского государственного университета им. Х. М. Бербекова.
    3. ГАОУ ВО "Дагестанский государственный университет народного хозяйства".
    4. Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова.
  • Выпуск: Том 15, № 3 (2025)
  • Страницы: 26-30
  • Раздел: Физика
  • URL: https://journals.rcsi.science/2221-7789/article/view/359224
  • ID: 359224

Цитировать

Полный текст

Аннотация

В статье исследуется устойчивость к электромиграции структур со сквозными отверстиями, не заполненными вольфрамом, и влияния на процесс электромиграции заполнения отверстий вольфрамом. Показано, что с уменьшением диаметра отверстия в структурах отверстиями, незаполненными вольфрамом, величина среднего времени отказа снижается вследствие плохого покрытия алюминием и возрастания отношения ширины отверстия к его длине, а в случае заполнения отверстий вольфрамом величина среднего времени отказа от диаметра не зависит. Установлено, что при электромиграции сопротивления сквозного отверстия изменяется из-за действия тока высокой плотности, который вызывает миграцию кремния через алюминий с последующим его осаждением по границе раздела вольфрам-алюминий.

Об авторах

Наталья Васильевна Черкесова

Кабардино-Балкарского государственного университета им. Х.М. Бербекова.

Автор, ответственный за переписку.
Email: natasha07_2002@mail.ru
Кандидат физико-математических наук, доцент, доцент кафедры электроники и цифровых информационных технологий института электроники, робототехники и искусственного интеллекта. Россия

Гасан Абакарович Мустафаев

Кабардино-Балкарского государственного университета им. Х. М. Бербекова.

Email: zoone@mail.ru
Доктор технических наук, профессор кафедры электроники и цифровых информационных технологий института электроники, робототехники и искусственного интеллекта Россия

Арслан Гасанович Мустафаев

ГАОУ ВО "Дагестанский государственный университет народного хозяйства".

Email: arslan_mustafaev@hotmail.com
Доктор технических наук профессор. Россия

Денис Михайлович Здравомыслов

Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова.

Email: natasha07_2002@mail.ru
Аспирант 2-го года обучения кафедры электронной компонентной базы микро-, наноэлектроники и квантовых устройств. Россия

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).