Анализ возможности независимого регулирования различных параметров плазмы ВЧ несамостоятельного разряда с дополнительной ионизацией электронным пучком

В данной статье представлены результаты исследования нового типа плазмы ВЧ несамостоятельного разряда (ВЧНР) низкого давления с дополнительной ионизацией пучками высокоэнергетичных электронов. С помощью комплексного экспериментально-теоретического подхода было показано отличие параметров такой плазмы (плотность плазмы, температура электронов, функция распределения электронов и ионов по энергиям) от случая обычной ВЧ-плазмы, а также от случая чисто пучковой несамостоятельной плазмы. Проведенное исследование подтвердило, что плазма ВЧНР с ионизацией электронным пучком может использоваться для получения более низкой температуры электронов, чем в классической ВЧ-плазме, и, соответственно, для получения ионов более низких энергий. Параметрами плазмы ВЧНР можно управлять: плотностью плазмы – варьируя ВЧ-мощность на частоте, используемой для генерации разряда; энергетическими спектрами электронов и ионов – варьируя соотношение вкладов ВЧ-мощности, мощности ВЧ-смещения и мощности электронного пучка. Полученный результат является также перспективным для возможности прецизионной обработки поверхности плазмой с низкой энергией ионов (порядка нескольких электронвольт), используемой в технологиях атомного слоевого травления и осаждения в плазменных реакторах нового поколения.