Origin of the electrical activity of iron atoms in vitreous arsenic selenide


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Iron atoms in vitreous arsenic selenide films form single electron donor centers, while the Fermi level shifts from the middle of the band gap to the bottom of the conduction band with an increase in the iron concentration due to the filling of single electron states of the acceptor type located below the Fermi level.

Негізгі сөздер

Авторлар туралы

A. Marchenko

Herzen Russian State Pedagogical University

Email: ppseregin@mail.ru
Ресей, nab. reki Moyki 48, St. Petersburg, 191186

T. Rabchanova

Herzen Russian State Pedagogical University

Email: ppseregin@mail.ru
Ресей, nab. reki Moyki 48, St. Petersburg, 191186

P. Seregin

Herzen Russian State Pedagogical University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: ppseregin@mail.ru
Ресей, nab. reki Moyki 48, St. Petersburg, 191186

A. Zharkoi

Herzen Russian State Pedagogical University

Email: ppseregin@mail.ru
Ресей, nab. reki Moyki 48, St. Petersburg, 191186

K. Bobokhuzhaev

Ulugbek National University of Uzbekistan

Email: ppseregin@mail.ru
Өзбекстан, Vuzgorodok 4, Alamazarskii Massiv, Tashkent, 100174

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2016