Switching of Spectral Modes of Picosecond Stimulated Radiation of GaAs due to Stimulated Raman Scattering in the Presence of Interband Oscillations of Electrons in the Radiation Field


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

It was found that self-modulation of the spectrum of high-intensity stimulated radiation of a thin (about 1 μm) GaAs layer can be represented as switching of spectral modes of radiation caused by stimulated Raman scattering (SRS). It is shown that the SRS results from modulation of population of energy levels upon interband oscillations of electrons in the presence of the radiation field. It is shown that such oscillations become possible owing to the slowing down of elimination of deviations from the Fermi distribution due to energy transport of carriers. It is clarified that the oscillations are synchronized owing to the SRS.

Об авторах

N. Ageeva

Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences

Email: bil@cplire.ru
Россия, Moscow, 125009

I. Bronevoi

Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences

Автор, ответственный за переписку.
Email: bil@cplire.ru
Россия, Moscow, 125009

D. Zabegaev

Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences

Email: bil@cplire.ru
Россия, Moscow, 125009

A. Krivonosov

Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences

Email: bil@cplire.ru
Россия, Moscow, 125009

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Inc., 2018

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).