Formation of Weighting Coefficients in an Artificial Neural Network Based on the Memristive Effect in Metal–Oxide–Metal Nanostructures


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

An approach to formation and training of an artificial neural network (ANN) based on thin-film memristive metal–oxide–metal nanostructures, which exhibit the effect of bipolar resistive switching, has been proposed. An experimental electric circuit of a small-sized ANN (a two-layer perceptron with 32 memristive elements) has been constructed. An algorithm for formation of weighting coefficients (ANN training), which takes into account probable spread of technological parameters of memristive structures has been developed.

Авторлар туралы

I. Antonov

Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Email: oa_morozov@nifti.unn.ru
Ресей, Nizhny Novgorod, 603950

A. Belov

Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Email: oa_morozov@nifti.unn.ru
Ресей, Nizhny Novgorod, 603950

A. Mikhaylov

Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Email: oa_morozov@nifti.unn.ru
Ресей, Nizhny Novgorod, 603950

O. Morozov

Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: oa_morozov@nifti.unn.ru
Ресей, Nizhny Novgorod, 603950

P. Ovchinnikov

Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Email: oa_morozov@nifti.unn.ru
Ресей, Nizhny Novgorod, 603950


© Pleiades Publishing, Inc., 2018

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>