Heterostructures GaxIn1 –xAsyBizSb1 –yz/InSb for Photodetector Devices


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Isoparametric heterostructures GaxIn1 –xAsyBizSb1 –yz/InSb for photodetectors operating in a 6- to 12-μm wavelength interval have been manufactured by the method of floating-zone recrystallization with temperature gradient. The introduction of bismuth into GaInAsSb solid solution provides a decrease in bandgap width Eg, the corresponding increase in the working wavelength interval up to 12 μm, and a shift in the photosensitivity maximum to longer wavelengths.

Об авторах

L. Lunin

Southern Scientific Center, Russian Academy of Sciences

Автор, ответственный за переписку.
Email: lunin_ls@mail.ru
Россия, Rostov-on-Don, 344006

M. Lunina

Southern Scientific Center, Russian Academy of Sciences

Email: lunin_ls@mail.ru
Россия, Rostov-on-Don, 344006

A. Pashchenko

Southern Scientific Center, Russian Academy of Sciences; M.I. Platov South Russia State Polytechnic University

Email: lunin_ls@mail.ru
Россия, Rostov-on-Don, 344006; Novocherkassk, Rostov oblast, 346428

D. Alfimova

Southern Scientific Center, Russian Academy of Sciences

Email: lunin_ls@mail.ru
Россия, Rostov-on-Don, 344006

O. Pashchenko

Southern Scientific Center, Russian Academy of Sciences

Email: lunin_ls@mail.ru
Россия, Rostov-on-Don, 344006


© Pleiades Publishing, Ltd., 2019

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах