Technical Physics Letters
ISSN 1063-7850 (Print)
ISSN 1090-6533 (Online)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Мұрағат
Байланыс
Барлық журналдар
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Fullerene
Mach Number
Martensite
Shock Wave
Technical Physic Letter
dark current.
epitaxy
heterostructure
high-electron-mobility transistor
magnetic field
mass spectrum
molecular beam epitaxy
multijunction solar cell
photoluminescence
plasma
quantum dots
semiconductor laser
silicon
tokamak
wide-bandgap semiconductors
zinc oxide
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Fullerene
Mach Number
Martensite
Shock Wave
Technical Physic Letter
dark current.
epitaxy
heterostructure
high-electron-mobility transistor
magnetic field
mass spectrum
molecular beam epitaxy
multijunction solar cell
photoluminescence
plasma
quantum dots
semiconductor laser
silicon
tokamak
wide-bandgap semiconductors
zinc oxide
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Sherstnev, E.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 44, № 7 (2018)
Article
The Effect of Dose of Nitrogen-Ion Implantation on the Concentration of Point Defects Introduced into GaAs Layers
Том 44, № 9 (2018)
Article
Defect Structure of GaAs Layers Implanted with Nitrogen Ions
Том 45, № 8 (2019)
Article
Characteristics of a Silicon Avalanche Photodiode for the Near-IR Spectral Range
Том 45, № 12 (2019)
Article
Quantum Yield of a Silicon XUV Avalanche Photodiode in the 320–1100 nm Wavelength Range
Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады
Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>
cookie файлдары туралы< / a>
TOP