Technical Physics Letters
ISSN 1063-7850 (Print)
ISSN 1090-6533 (Online)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Мұрағат
Байланыс
Барлық журналдар
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Fullerene
Mach Number
Martensite
Shock Wave
Technical Physic Letter
dark current.
epitaxy
heterostructure
high-electron-mobility transistor
magnetic field
mass spectrum
molecular beam epitaxy
multijunction solar cell
photoluminescence
plasma
quantum dots
semiconductor laser
silicon
tokamak
wide-bandgap semiconductors
zinc oxide
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Fullerene
Mach Number
Martensite
Shock Wave
Technical Physic Letter
dark current.
epitaxy
heterostructure
high-electron-mobility transistor
magnetic field
mass spectrum
molecular beam epitaxy
multijunction solar cell
photoluminescence
plasma
quantum dots
semiconductor laser
silicon
tokamak
wide-bandgap semiconductors
zinc oxide
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Kuzmenkov, A. G.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 42, № 10 (2016)
Article
A study of distributed dielectric bragg reflectors for vertically emitting lasers of the near-IR range
Том 43, № 10 (2017)
Article
Precision calibration of the silicon doping level in gallium arsenide epitaxial layers
Том 44, № 1 (2018)
Near-IR Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (Special Issue)
High-Speed Semiconductor Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers for Optical Data-Transmission Systems (Review)
Том 44, № 10 (2018)
Article
Epitaxial InGaAs/InAlAs/AlAs Structures for Heterobarrier Varactors with Low Leakage Current
Том 45, № 10 (2019)
Article
Heterobarrier Varactors with Nonuniformly Doped Modulation Layers
Том 45, № 11 (2019)
Article
InAlAs/InGaAs/InP High-Electron-Mobility Transistors with a Composite Channel and Higher Breakdown Characteristics
Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады
Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>
cookie файлдары туралы< / a>
TOP