Electronic and Optical Properties of NiSi 2 /Si Nanofilms

A. K. Tashatov; N. M. Mustafoeva; B. E. Umirzakov; D. A. Tashmukhamedova

doi:10.1134/S1063784219050244

Electronic and Optical Properties of NiSi₂/Si Nanofilms

Авторы: Tashatov A.¹, Mustafoeva N.¹, Umirzakov B.¹, Tashmukhamedova D.¹
Учреждения:
1. Tashkent State Technical University
Выпуск: Том 64, № 5 (2019)
Страницы: 708-710
Раздел: Physical Electronics
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7842/article/view/203456
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784219050244
ID: 203456

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Статистика

Аннотация

Optimum conditions for ion implantation and subsequent annealing for the fabrication of NiSi₂/Si (111) nanofilms with a thickness of 3.0–6.0 nm are determined. It is demonstrated that the energy-band parameters and optical properties typical of thick NiSi₂ films start to set in at d = 5.0–6.0 nm.