Electronic and Optical Properties of NiSi 2 /Si Nanofilms

A. K. Tashatov; N. M. Mustafoeva; B. E. Umirzakov; D. A. Tashmukhamedova

doi:10.1134/S1063784219050244

Electronic and Optical Properties of NiSi₂/Si Nanofilms

Авторлар: Tashatov A.¹, Mustafoeva N.¹, Umirzakov B.¹, Tashmukhamedova D.¹
Мекемелер:
1. Tashkent State Technical University
Шығарылым: Том 64, № 5 (2019)
Беттер: 708-710
Бөлім: Physical Electronics
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7842/article/view/203456
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784219050244
ID: 203456

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Статистика

Аннотация

Optimum conditions for ion implantation and subsequent annealing for the fabrication of NiSi₂/Si (111) nanofilms with a thickness of 3.0–6.0 nm are determined. It is demonstrated that the energy-band parameters and optical properties typical of thick NiSi₂ films start to set in at d = 5.0–6.0 nm.