SmS/SiC Heterostructure and Its Associated Thermovoltaic Effect


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

A heterostructure based on single-crystal SiC and a polycrystalline SmS thin film has been studied. In the temperature interval 300–456 K, the thermovoltaic effect has been measured in the structure, the amount of which reaches ~12 mV at 456 K. It has been shown that the amount of this effect correlates with its concentration model developed earlier.

Об авторах

V. Kaminskii

Ioffe Institute

Автор, ответственный за переписку.
Email: VladimirKaminski@gmail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

A. Lebedev

Ioffe Institute; St. Petersburg State Electrotechnical University LETI

Email: VladimirKaminski@gmail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 197376

S. Solov’ev

Ioffe Institute

Email: VladimirKaminski@gmail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

N. Sharenkova

Ioffe Institute

Email: VladimirKaminski@gmail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021


© Pleiades Publishing, Ltd., 2019

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах