Effect of the stresses caused by substrate on the electrical conductivity of ferromagnetic manganite lanthanum–barium films


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

This is a complex study of the electrophysical and magnetic characteristics of epitaxial manganite La0.7Ba0.3MnO3 (LBMO) films under conditions of crystal structure stresses caused by misfit in the lattice parameters of the LBMO crystal and a substrate. The substrate used had the lattice parameter smaller than that in the LBMO crystal. It is shown that the temperature dependence of the electrical resistance of the films at low temperatures is not dependent on the existence of stresses in the film and agrees well with the calculation with allowance made for the interaction of carriers with magnetic excitations in the presence of strongly correlated electronic states. The study of the ferromagnetic resonance line indicates an inhomogeneity of the ferromagnetic phase in the LBMO films and the increase in the ferromagnetic resonance line width with decreasing temperature.

Об авторах

G. Ovsyannikov

Institute of Radio Engineering and Electronics

Автор, ответственный за переписку.
Email: gena@hitech.cplire.ru
Россия, ul. Mokhovaya 11, Moscow, 125009

T. Shaikhulov

Institute of Radio Engineering and Electronics

Email: gena@hitech.cplire.ru
Россия, ul. Mokhovaya 11, Moscow, 125009

V. Shakhunov

Institute of Radio Engineering and Electronics

Email: gena@hitech.cplire.ru
Россия, ul. Mokhovaya 11, Moscow, 125009

V. Demidov

Institute of Radio Engineering and Electronics

Email: gena@hitech.cplire.ru
Россия, ul. Mokhovaya 11, Moscow, 125009

N. Andreev

National University for Science and Technology MISiS

Email: gena@hitech.cplire.ru
Россия, Leninskii pr. 4, Moscow, 119936

A. Pestun

National University for Science and Technology MISiS

Email: gena@hitech.cplire.ru
Россия, Leninskii pr. 4, Moscow, 119936

V. Preobrazhenskii

Wave Research Center of the Prokhorov General Physics Institute

Email: gena@hitech.cplire.ru
Россия, ul. Vavilova 38, Moscow, 117942

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2017

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).