Electron–hole liquid in low-dimensional silicon–germanium heterostructures


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Resumo

A brief review is given of the studies in which quasi-two-dimensional spatially-direct and dipolar electron–hole liquids in Si/SiGe/Si type-II heterostructures with a low Ge content in the SiGe layer were discovered and investigated.

Sobre autores

N. Sibeldin

Lebedev Physical Institute

Autor responsável pela correspondência
Email: sibeldin@sci.lebedev.ru
Rússia, Moscow, 119991

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