Study of a macrodefect in a silicon carbid single crystal by means of X-ray phase contrast


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The morphology of a macrodefect in a single-crystal silicon carbide wafer has been investigated by the computer simulation of an experimental X-ray phase-contrast image. A micropipe, i.e., a long cavity with a small (elliptical in the general case) cross section, in a single crystal has been considered as a macrodefect. A far-field image of micropipe has been measured with the aid of synchrotron radiation without a monochromator. The parameters of micropipe elliptical cross section are determined based on one projection in two directions: parallel and perpendicular to the X-ray beam propagation direction, when scanning along the pipe axis. The results demonstrate the efficiency of the phase contrast method supplemented with computer simulation for studying such macrodefects when the defect position in the sample volume is unknown beforehand.

Об авторах

T. Argunova

Ioffe Institute

Автор, ответственный за переписку.
Email: argunova2002@mail.ru
Россия, ul. Politekhnicheskaya 26, St. Petersburg, 194021

V. Kohn

National Research Centre “Kurchatov Institute”

Email: argunova2002@mail.ru
Россия, pl. Akademika Kurchatova 1, Moscow, 123182

J. Lim

Pohang Accelerator Laboratory

Email: argunova2002@mail.ru
Республика Корея, Pohang, 790-834

J. Je

Department of Materials Science and Engineering

Email: argunova2002@mail.ru
Республика Корея, Pohang, 790-784

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Inc., 2016

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).