Morphological stability of sapphire crystallization front


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The main factors and specificity of growth conditions for sapphire and Ti:sapphire crystals, which affect the morphological stability of the crystal–melt interface, have been investigated with allowance for the concentration and radiative melt supercooling. It is shown that the critical sapphire growth rate is determined to a great extent by the optical transparency of the melt and the mixing conditions near the crystallization front.

Авторлар туралы

V. Baranov

Institute for Single Crystals

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: baranov.isc@gmail.com
Украина, pr. Lenina 60, Kharkov, 61178

S. Nizhankovskyi

Institute for Single Crystals

Email: baranov.isc@gmail.com
Украина, pr. Lenina 60, Kharkov, 61178

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Inc., 2016