Formation of Charge Pumps in the Structure of Photoelectric Converters


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The results of the further development of the original charge-pumping concept in the structure of photoelectric converters are considered. Charge pumps arise due to the formation of spatial defect-impurity complexes. The formation of charge pumps leads to a change in the transport mechanism of photo-induced carriers through the solar cell base. The technological process of nonthermal, or cold photonic annealing is proposed for the first time. This process involves the use of standard equipment for photonic annealing. The effect of nonthermal photonic annealing is achieved using the original photo-mask (removable photo-template). The photo-template provides an annealing mode using several light sources and thermal insulation of the processed wafer. The process is called local photonic annealing. Due to its efficiency and simplicity the process does not require significant industrial investments. The results of experimental studies to increase the short-circuit current and maximum power of solar cells using local photon annealing are presented. The experiments are carried out with solar cells fabricated by various manufacturers.

Об авторах

V. Starkov

Institute of Microelectronics Technology Problems, Russian Academy of Sciences

Автор, ответственный за переписку.
Email: starka@iptm.ru
Россия, Chernogolovka, Moscow oblast, 142432

V. Gusev

Institute of Microelectronics Technology Problems, Russian Academy of Sciences

Email: gos-3@mail.ru
Россия, Chernogolovka, Moscow oblast, 142432

N. Kulakovskaya

Institute of Microelectronics Technology Problems, Russian Academy of Sciences

Email: gos-3@mail.ru
Россия, Chernogolovka, Moscow oblast, 142432

E. Gosteva

National Research Technological University MISiS

Автор, ответственный за переписку.
Email: gos-3@mail.ru
Россия, Moscow, 119049

Yu. Parkhomenko

National Research Technological University MISiS

Email: gos-3@mail.ru
Россия, Moscow, 119049

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2018

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).